技术进展与产品发布 - 格芯宣布其SLATE™晶圆到晶圆键合技术在其行业领先的9SW射频绝缘体上硅平台上已具备量产条件，实现了用于紧凑型高性能蜂窝前端模块的先进3D集成技术[1] - 该9SW SLATE技术在新加坡的300毫米晶圆厂制造，预计将在2027年下半年实现量产爬坡[1] - 第一代SLATE技术支持晶圆到晶圆键合，允许设计人员键合两片9SW晶圆，以在垂直架构中堆叠和集成大尺寸场效应晶体管[2] - 通过将大尺寸FET折叠在键合晶圆上，SLATE技术可将整体芯片尺寸减少高达45%，从而为智能手机等空间受限应用中的开关、低噪声放大器和天线调谐器节省射频板空间和总设计面积[2] 技术平台优势与性能 - 9SW射频绝缘体上硅平台是格芯最先进的射频前端模块解决方案，覆盖5G移动设备和卫星通信的8GHz以下及FR3频段范围[3] - 作为格芯XSW技术的第四代产品，9SW通过更低的导通电阻和关断电容，将效率提升超过20%，并显著降低待机电流以延长电池寿命[3] - 将SLATE技术应用于9SW平台，使客户能够在不牺牲射频性能的前提下，为下一代5G设备设计更紧凑、更节能的解决方案[4] - SLATE技术为跨其多种差异化技术（包括FDX™ FD-SOI、RF-SOI和硅锗）的异质3D集成提供了发展路线图，以在数据中心、卫星连接、物联网和移动设备等不同市场实现更强的系统级能力[4] 生态系统支持与市场应用 - 通过集成工艺设计套件和GlobalShuttle™多项目晶圆计划，格芯为设计启动和原型制作提供了支持，相关穿梭流片计划安排在今年下半年[5] - 该技术旨在支持下一代移动和无线应用领域的创新，合作伙伴（如Cadence）的工具链可帮助设计人员释放SLATE的3D集成潜力，加速从概念到硅片的前端模块开发[4] - 格芯是一家领先的半导体制造商，专注于为汽车、航空航天与国防、数据中心、智能移动设备、物联网等高增长市场提供差异化、高能效和高性能的解决方案[6]