核心技术进展 - 公司宣布扩展其成熟的300毫米晶圆键合技术，该技术最初为堆叠式背照式图像传感器开发并已大规模生产，现可支持硅光子和硅锗BiCMOS工艺的异质3D-IC集成 [1] - 该晶圆级3D-IC技术基于公司在200毫米和300毫米晶圆上多年的大规模堆叠传感器生产经验，能够堆叠不同工艺的晶圆以创建完全集成的3D-IC [2] - 此项技术突破代表了晶圆级3D集成向图像传感以外新领域迈出的重要一步，可满足数据中心应用对紧凑型高性能系统日益增长的市场需求 [1] 技术能力与优势 - 新技术能够将不同工艺技术的特定应用功能集成到单一高密度芯片中，在更小的外形尺寸下实现更强的功能性和性能 [2] - 公司已成功验证其晶圆键合工艺的精确对准能力和可靠性 [3] - 该技术支撑共封装光学等新兴应用，这些应用需要将光子集成电路和电子集成电路进行紧凑、高性能的集成 [2] 设计工具与合作伙伴 - 新的堆叠平台技术获得了Cadence设计工具的全面支持 [1] - 公司与Cadence合作扩展了Virtuoso Studio异质集成流程，允许在统一设计环境中对多种工艺技术进行协同仿真和协同验证 [3] - 经过验证的设计流程现已可供客户用作参考流程，兼容公司的硅锗BiCMOS和硅光子工艺设计工具包，可显著提高复杂多技术芯片项目的一次性成功率 [4] 市场定位与影响 - 公司是领先的高价值模拟半导体解决方案代工厂 [1][6] - 此项扩展巩固了公司在3D-IC和异质集成领域的领导地位，可加速下一代市场的创新 [4] - 公司为消费、工业、汽车、移动、基础设施、医疗、航空航天和国防等增长型市场的客户提供技术、开发和工艺平台 [6]

技术平台与能力 - 公司宣布扩展其成熟的300毫米晶圆键合技术，该技术最初为堆叠式背照式图像传感器开发并已大规模生产，现可支持跨行业领先的硅光子和硅锗BiCMOS工艺的异质3D-IC集成 [1] - 该晶圆键合技术支持在晶圆级堆叠不同工艺的晶圆，例如将硅光子集成电路和硅锗电子集成电路集成，以创建高密度单芯片，实现更小尺寸下的更高功能性和性能 [2] - 这项晶圆级3D-IC技术支持新兴应用，如共封装光学，其特点是需要紧凑、高性能的集成 [2] - 公司已成功验证其晶圆键合工艺的精确对准能力和可靠性 [3] 设计支持与合作伙伴 - 新的3D-IC平台技术获得了Cadence设计工具的全面支持 [1] - 公司与Cadence合作扩展了Virtuoso Studio异质集成设计流程，允许在统一设计环境中对多种工艺技术进行协同仿真和协同验证，该增强的设计支持能力现已作为参考流程提供给客户 [3] - 新的3D-IC设计流程兼容公司的硅锗BiCMOS和硅光子工艺设计工具包，并由双方公司全面支持，旨在显著提高复杂多技术芯片项目的一次性成功率 [4] - Cadence与公司的合作已超过二十年，此次对异质集成流程的验证意味着客户可以依赖一个稳健统一的技术流程来按时交付高质量产品 [4] 市场定位与战略意义 - 此项新技术代表了在扩展晶圆级3D集成方面的重要一步，可满足数据中心应用对紧凑、高性能系统日益增长的市场需求 [1] - 公司利用其在200毫米和300毫米晶圆上多年的大规模堆叠传感器生产经验，为3D集成的下一阶段奠定了基础 [2][3] - 此项扩展巩固了公司在3D-IC和异质集成领域的领导地位，旨在为下一代市场提供加速创新的先进模拟解决方案 [4]