文章核心观点 - 内存已成为2026年人工智能建设中的最大瓶颈之一，价格飙升不仅影响AI数据中心成本，也波及智能手机、PC及其他电子设备成本 [1] - 闪迪和镁光成为今年市场最大赢家，闪迪股价年内涨幅超过200%，镁光涨幅约150% [2] - 尽管DRAM和NAND市场历史上具有周期性，但公司认为此次由AI作为强大长期顺风因素驱动，情况明显不同，两家公司均锁定较长期协议，远期市盈率均低至4倍或以下 [12] - 由于DRAM市场参与者远少于NAND市场，且HBM在AI建设中的重要性，公司认为若只选一只，镁光是两者中更明确的买入标的，预计DRAM的当前内存超级周期将持续更久 [14] 闪迪（SNDK）公司概况 - 闪迪股价报977.69美元，上涨117.70美元（涨幅13.69%），市值1391.1亿美元，当日区间920.11至1011.05美元，52周区间183.00至2354.39美元，成交量1640万，平均成交量1100万，毛利率79.95% [3] - 闪迪是纯NAND制造商，占闪存市场略超10%的份额 [5] 镁光（MU）公司概况 - 镁光股价报811.30美元，上涨86.19美元（涨幅11.89%），市值9179.2亿美元，当日区间763.05至827.58美元，52周区间192.59至1255.00美元，成交量3670万，平均成交量2800万，毛利率80.71%，股息率0.07% [6] - 镁光是三大DRAM制造商中最小的一家，三大厂商合计控制约90%的DRAM市场，镁光占DRAM市场超20%份额、NAND市场约15%份额，上季度约73%营收来自DRAM、26%来自NAND [5] 内存市场结构（DRAM与NAND） - 内存市场分为易失性和非易失性两大类，易失性内存用于临时存储，断电后丢失所有数据，主要类型为DRAM，速度极快，作为处理器的短期工作空间 [3] - 非易失性内存在断电后保留所有信息，用于永久存储，最常见类型为NAND闪存，速度较慢但成本低得多，用于固态硬盘、硬盘驱动器及存储卡等设备 [4] - DRAM和NAND市场均在飙升，两者之间存在一定关联，但市场动态差异较大 [7] HBM与AI驱动的供需动态 - 当前整体内存市场由高带宽内存（HBM）驱动，这是DRAM的特殊形式，与GPU及其他AI加速器封装在一起，以降低延迟并优化这些昂贵芯片的性能 [7] - HBM需求与AI加速器需求同步增长，但供应未能跟上 [8] - HBM使用与GPU及其他先进逻辑芯片相同的极紫外光刻机制造，全球仅ASML一家公司拥有该技术，每年可新增的EUV产能有限，各方争抢激烈；此外HBM所需晶圆产能高达传统DRAM的三倍以上，新建洁净室设施需数年时间 [9] - 三大DRAM制造商（镁光、三星、SK海力士）将大部分资源集中于HBM，牺牲普通DRAM和NAND，导致所有内存价格飙升；传统DRAM和NAND价格实际上涨速度超过HBM价格，推动了镁光和闪迪的强劲增长；NAND市场还因AI实验室需将训练数据存储在大型闪存固态硬盘中而需求强劲 [10]