文章核心观点 Silvaco与Fraunhofer ISIT达成战略研发合作，旨在利用Silvaco的技术加速下一代氮化镓（GaN）设备的开发，推动欧洲半导体能力提升和全球GaN设备发展 [1][3] 合作内容 - Silvaco与Fraunhofer ISIT开展战略研发合作，利用Silvaco的功率器件解决方案进行设计技术协同优化（DTCO），加速下一代GaN设备开发 [1] - Fraunhofer ISIT将借助Silvaco的设计工具，在其8英寸晶圆的后CMOS工艺环境中进行功率和传感器设备开发的DTCO，加速原型制作 [2] - Silvaco的实验设计（DOE）解决方案将简化开发工作流程，支持在评估新的工艺模块和新兴设备概念时进行快速创新 [2] 双方表态 - Silvaco TCAD部门高级副总裁兼总经理Eric Guichard表示，合作是加强欧洲半导体能力和推动全球GaN设备发展的重要一步，还能提升自身TCAD工具以满足未来设备设计需求 [3] - Fraunhofer ISIT先进设备组负责人Michael Mensing称，很高兴借助Silvaco的产品扩展GaN设计能力，其先进TCAD解决方案能让团队更深入高效地探索、理解和优化GaN设备性能 [3] 其他合作举措 - Fraunhofer ISIT除在研发和行业客户项目中积极使用Silvaco的工具外，还将培训当地大学学生使用Silvaco的Victory TCAD™平台，为下一代半导体设备工程师做准备 [3] 公司介绍 - Silvaco提供TCAD、EDA软件和SIP解决方案，通过人工智能软件和创新实现半导体设计和数字孪生建模，其解决方案应用于多个市场的半导体和光子学开发，总部位于美国加州圣克拉拉，全球多地设有办事处 [4] - Fraunhofer ISIT为电力电子和微系统技术开发和制造定制组件，在德国研究晶圆厂微电子产品（FMD）中是8英寸后CMOS技术等的主要基地，专注于GaN传感器小芯片等开发及新兴陶瓷基板加工 [5]

文章核心观点 Silvaco宣布Excelliance MOS采用其DTCO流程加速下一代碳化硅功率器件开发，该流程可提升器件和电路性能优化、缩短开发时间，助力Excelliance MOS更快将创新电源解决方案推向市场 [1][3] 分组1：合作情况 - Excelliance MOS采用Silvaco的DTCO流程，包括Victory TCAD™和UTMOST IV™，以加速下一代碳化硅功率器件的开发 [1] 分组2：采用原因 - 随着高效电力电子需求增长，Excelliance MOS利用Silvaco先进DTCO平台简化碳化硅技术研发，其Victory Process™和Victory Device™模拟器可提供逼真工艺和精确器件模拟 [2] - Silvaco的DTCO流程结合Victory TCAD、UTMOST IV和Victory DoE，为Excelliance MOS提供强大且用户友好的解决方案，能增强器件和电路性能优化、缩短开发时间 [3] 分组3：工具作用 - Victory DoE可快速探索工艺变化，UTMOST IV可实现自动电气测量和SPICE模型提取，加速表征和电路级建模，二者共同助力Excelliance MOS高效设计、模拟和改进下一代碳化硅器件 [3] 分组4：公司优势 - Silvaco的模拟解决方案技术无关，支持多种应用，其工具具有以用户为中心的特点，可让工程师更快速准确地创新 [4] 分组5：公司介绍 - Silvaco是提供TCAD、EDA软件和SIP解决方案的公司，其解决方案用于半导体和光子学等领域开发，公司总部位于加州圣克拉拉，在全球多地设有办事处 [5]