如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译自imec，谢谢。 动态随机存取存储器 (DRAM)是传统计算架构中的主存储器，其位单元在概念上非常简单。它由一 个电容器 (1C) 和一个硅基晶体管 (1T)组成。电容器的作用是存储电荷，而晶体管则用于访问电容 器，以读取存储的电荷量或存储新电荷。 多年来，位单元密度的扩展使业界得以推出后续几代 DRAM 技术，并应对日益增长的 DRAM 需 求。但自 2015 年左右以来，DRAM 内存技术一直难以跟上处理器逻辑部分性能改进的步伐：扩 展、成本和功率效率问题构成了不断上升的"内存墙"的组成部分。大电容限制了 1T1C 位单元的可 扩展性和 3D 集成，而这是迈向高密度 DRAM 的最终途径。此外，随着存取晶体管变得越来越小， 它为电容电荷的流失提供了越来越大的漏电路径。这会降低数据保留时间，并需要更频繁地刷新 DRAM 单元——从而影响功耗。 2020 年，imec 报告了一种新颖的 DRAM 位单元概念，可以一次性解决这两个问题：一个位单元由 两个薄膜晶体管(2T，一个用于读取，一个用于写入) 和无电容器(0C) 组成。薄膜晶体管的导电通道 由氧化 ...