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中国科学家首创“蒸笼”方法“长出”高性能晶体管新材料
快讯· 2025-07-18 18:57
行业研究 - 集成电路是现代信息技术的核心基础 [1] - 硅基芯片性能逐步逼近物理极限 开发新型高性能 低能耗半导体材料成为全球科技研发热点 [1] - 二维层状半导体材料硒化铟因迁移率高 热速度快等优良性能 被视为有望打破硅基物理限制的新材料 [1] 技术突破 - 研究团队首创"蒸笼"新方法 首次在国际上成功实现高质量硒化铟材料的晶圆级集成制造 [1] - 研制出核心性能超越3纳米硅基芯片的晶体管器件 [1] - 该成果在线发表于《科学》杂志 [1] 研究团队 - 由北京大学 中国人民大学科研人员组成的研究团队历经四年攻关 [1]