杭州镓仁半导体技术突破 - 公司推出全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸晶圆 成为国际上首家掌握该技术的企业[1] - 2022至2024年公司依次实现2英寸、4英寸、6英寸氧化镓单晶生长 技术持续迭代[1] - 8英寸单晶具有更高晶圆面积利用率 且兼容现有硅基晶圆厂8英寸产线 将加速产业化进程[1] 氧化镓材料特性 - β-Ga2O3禁带宽度达4.85eV 优于碳化硅和氮化镓 具备优异热/化学稳定性及更高击穿电场强度[1] - 材料紫外截止边为260nm 紫外波段透过率受载流子浓度影响小 适合深紫外光电器件制造[1] - 基于该材料的功率器件可实现更小电阻和更高转换效率 有望推动新能源汽车平台电压升至1200V[1]