如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 推荐阅读 10万亿，投向半导体 芯片巨头，市值大跌 黄仁勋：HBM是个技术奇迹 Jim Keller：RISC-V一定会胜出 氧化镓 —— 准确地说是 β-Ga2O3 —— 具有较碳化硅、氮化镓更宽的 4.85eV 禁带，还具备优秀 的热和化学稳定性和更高的击穿电场强度，是第四代半导体中的明星材料。 基于氧化镓的功率器件可提供更小的电阻和更高的转换效率，有望将新能源汽车平台电压推向 1200V；同时氧化镓材料拥有 260nm 的紫外截止边，紫外波段的透过率受载流子浓度影响小，适 宜制造深紫外波段光电器件。 点这里加关注，锁定更多原创内容 *免责声明：文章内容系作者个人观点，半导体芯闻转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体芯闻对该 观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。 来源：内容来自IT之家 ，谢谢。 杭州镓仁半导体 Garen Semi 昨日宣布推出全球首颗第四代半导体氧化镓 8 英寸，该公司也成为 国际上首家掌握 8 英寸氧化镓单晶生长技术的企业。 镓仁半导体此前于 2022、2023、2024 年分别生长得到了 2 英寸、4 英寸、6 英寸的氧化镓单 ...