技术突破 - SK海力士完成321层2Tb QLC NAND闪存产品开发并启动量产 该产品将存储单元垂直堆叠至321层 容量为2太比特（Tb）[2] - QLC技术使单个存储单元可保存4比特信息 通过增加独立运行单元Plane从4个至6个 实现更多并行操作以解决数据处理速度下降问题[2] - 新产品数据传输速度较前代QLC提升100% 写入性能最高提升56% 读取性能提升18% 数据写入能效提高23%以上[3] 产品应用与战略 - 公司计划首先在PC用SSD中采用321层NAND 随后扩展至数据中心和智能手机产品[3] - 基于一次性堆叠32个NAND的封装技术 实现比以往高两倍的集成度 全面进军AI服务器用超大容量eSSD市场[3] - 新产品使大容量产品组合大幅强化 同时确保价格竞争力[3]