产品发布与核心规格 - 纳微半导体发布了一款突破性的10 kW DC-DC电源平台，专为下一代AI数据中心设计[2] - 该平台采用全氮化镓设计，使用先进的650 V和100 V GaNFast FET，采用三电平半桥架构和同步整流技术[3] - 平台峰值效率高达**98.5%**，满载效率为**98.1%**，开关频率达到**1 MHz**[2][3] - 该平台采用全砖式封装（61 × 116 × 11 mm），功率密度达到**2.1 kW/in³**，支持800 V转50 V以及+/-400 V转50 V架构[3][4] 技术优势与应用 - 该平台旨在支持向高压直流数据中心电源基础设施的过渡，以满足未来AI工作负载对计算能力**100倍至1000倍**增长的需求[5] - 平台集成了辅助电源和控制功能，可简化采用过程，并为下一代高压直流AI数据中心实现高功率密度模块设计[4] - 该10 kW DC-DC解决方案提供了突破性的效率、功率密度和可扩展性，可实现更快、更凉爽的运行，并提高可持续性[5] 公司背景与市场地位 - 纳微半导体是下一代氮化镓和碳化硅功率半导体的领导者，其创新应用于AI数据中心、高性能计算、能源与电网基础设施及工业电气化[7] - 公司拥有超过**30年**的宽禁带半导体技术综合经验，其GaNFast™功率IC集成了功率、驱动、控制、传感和保护功能[7] - 公司拥有超过**300项**已授权或申请中的专利，并且是全球首家获得碳中和认证的半导体公司[7] 市场进展与展示 - 该10 kW DC-DC平台正通过合作开发由关键数据中心客户进行评估，并将于3月22日至26日在德克萨斯州圣安东尼奥举行的APEC会议上于纳微半导体展台首次亮相[5]