GaNFast™ gallium nitride (GaN)
搜索文档
Navitas Expands Global Distribution Network with Avnet
Globenewswire· 2025-12-12 05:15
文章核心观点 - 纳微半导体(Navitas Semiconductor)宣布扩大与安富利(Avnet)的全球分销协议,使其成为公司全球特许战略分销合作伙伴,此举旨在整合分销网络并支持人工智能数据中心、高性能计算、可再生能源、电网基础设施和工业电气化等高增长高功率市场的发展 [1][2][5] 公司与合作伙伴动态 - 此次协议是纳微半导体对其特许分销合作伙伴进行持续整合的一部分,标志着公司通过全球最大的电子元器件分销商之一安富利,显著扩大了渠道覆盖范围 [2] - 协议建立在安富利旗下Avnet Silica在欧洲市场成功服务客户的基础上,将其合作关系从欧洲扩展至全球 [1][2][5] - 根据协议条款,安富利将为纳微半导体的氮化镓和碳化硅高压高功率宽带隙半导体器件提供技术和商业专长支持 [3] - 此次整合确保客户既能受益于欧洲的区域专家Avnet Silica,也能通过安富利在全球所有地区的统一分销框架,快速可靠地获取纳微产品并获得全球一致的技术支持 [4] 市场与战略重点 - 此次全球分销网络的扩张旨在支持人工智能数据中心、高性能计算、可再生能源、电网基础设施和工业电气化等高增长高功率市场 [1][3] - 公司表示,整合分销网络是为了与高功率市场重点保持一致,安富利的工程专长、全球覆盖和深厚的客户关系使其成为加速氮化镓和碳化硅平台全球采用的理想合作伙伴 [5] - 安富利高管表示,纳微在宽带隙创新领域的领导地位与安富利致力于为客户提供先进、节能解决方案的承诺高度契合 [5] 公司背景与技术实力 - 纳微半导体是下一代氮化镓功率IC和高压碳化硅技术的领导者,其技术驱动着人工智能数据中心、性能计算、能源与电网基础设施以及工业电气化等领域的创新 [6] - 公司在宽带隙技术领域拥有超过30年的综合专业知识,其GaNFast™功率IC集成了氮化镓功率、驱动、控制、传感和保护功能,可实现更快的功率传输、更高的系统密度和更高的效率 [6] - 公司的GeneSiC™高压碳化硅器件利用专利的沟槽辅助平面技术,为中压电网和基础设施应用提供行业领先的电压能力、效率和可靠性 [6] - 纳微半导体拥有超过300项已授权或正在申请中的专利,并且是全球首家获得碳中和认证的半导体公司 [6]
Navitas Consolidates Asian Distribution, Signs Strategic Distribution Partnership with WT
Globenewswire· 2025-11-28 04:00
合作核心内容 - 公司宣布与亚洲分销巨头WT Microelectronics加强战略合作伙伴关系 以在亚洲提供增强的氮化镓和碳化硅功率器件技术与供应链服务[1] - 合作内容包括公司整合其特许分销商基础 WT则分配扩大的技术和商业资源[2] - 此次合作旨在更好地支持人工智能数据中心、高性能计算、能源与电网基础设施以及工业电气化客户[2] 合作执行细节 - WT将主导客户对接和设计导入活动 并辅以强大的区域物流 以确保产品可靠供应和快速交付[3] - 此次分销网络整合是公司“Navitas 2.0转型”的一部分 旨在更好地适应高功率增长市场并提高支持速度和质量[4] - WT的市场专长和全面分销网络将有助于在快速增长领域加速公司技术的采用[4][9] 公司技术与市场定位 - 公司是下一代氮化镓和碳化硅功率半导体领导者 业务驱动人工智能数据中心、高性能计算、能源与电网基础设施以及工业电气化的创新[5] - GaNFast™功率集成电路整合了氮化镓功率、驱动、控制、传感和保护功能 GeneSiC™高压碳化硅器件采用专利技术提供行业领先的电压能力、效率和可靠性[5] - 公司拥有超过300项已发布或待批专利 是全球首家获得碳中和认证的半导体公司[5]
Navitas Semiconductor Announces Third Quarter 2025 Financial Results
Globenewswire· 2025-11-04 05:04
公司战略与市场定位 - 公司宣布执行“Navitas 2.0”战略,从消费电子和移动市场向高功率半导体市场进行战略转型,重点聚焦人工智能数据中心、性能计算、能源与电网基础设施以及工业电气化等高增长、高利润领域[2][7] - 公司正围绕资源重新配置、产品路线图和市场进入策略采取快速果断的行动,旨在提升业务规模和质量,为客户和股东创造长期价值[2] - 公司被英伟达认可为其下一代800V直流架构人工智能工厂计算的功率半导体合作伙伴,突显了其在氮化镓和高电压碳化硅技术领域的领导地位[8] 2025年第三季度财务业绩 - 第三季度总收入为1010万美元,较2024年同期的2170万美元下降53%,较2025年第二季度的1450万美元下降30%[8] - 第三季度GAAP运营亏损为1940万美元,较2024年同期的亏损2900万美元有所收窄,较2025年第二季度的亏损2170万美元也有所改善[8] - 第三季度非GAAP运营亏损为1150万美元,而2024年同期非GAAP运营亏损为1270万美元,2025年第二季度非GAAP运营亏损为1060万美元[8] - 截至2025年9月30日,现金及现金等价物为1.506亿美元[8] - 第三季度非GAAP毛利率为38.7%,而2024年同期为40.1%[20] 近期业务展望与财务指引 - 公司预计2025年第四季度净收入约为700万美元,正负浮动25万美元,此预期反映了其战略决策,即降低中国低功率、低利润移动和消费业务的优先级,并精简分销网络以减少渠道库存,从而转向高功率市场和客户[5] - 2025年第四季度非GAAP毛利率预计为38.5%,正负浮动50个基点[5] - 2025年第四季度非GAAP运营费用预计约为1500万美元[5] 技术与产品进展 - 公司推出了100V和650V分立式GaNFast™ FETs新产品组合,结合其GaNSafe™ ICs和高电压、高功率碳化硅产品,支持英伟达的下一代800V直流人工智能工厂电源架构[8] - 公司正在向领先的储能和电网基础设施客户送样新款2.3kV和3.3kV高电压碳化硅模块[8] - 公司拥有超过300项已授权或申请中的专利,并且是全球首家获得碳中和认证的半导体公司[17]
NVIDIA Selects Navitas to Collaborate on Next Generation 800 V HVDC Architecture
Globenewswire· 2025-05-22 04:17
文章核心观点 - 纳微半导体(Navitas)的氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)技术被选中支持英伟达(Nvidia)800V高压直流(HVDC)数据中心电力基础设施,以支持1兆瓦及以上的IT机架 [1][21] 合作信息 - 纳微半导体与英伟达合作,为其下一代800V HVDC架构提供支持,助力为GPU供电的“Kyber”机架级系统 [1] 英伟达800V HVDC架构优势 - 旨在为下一代人工智能工作负载建立高效、可扩展的电力输送,确保更高可靠性、效率并降低基础设施复杂性 [2] - 现有数据中心架构使用传统54V机架内配电,功率受限且存在物理限制,而英伟达将13.8kV交流电网电力直接转换为800V HVDC,可消除多个转换步骤,提高效率和可靠性 [3][4] - 800V HVDC可使铜线厚度最多减少45%,解决传统系统铜需求大的问题,满足人工智能数据中心高功率需求 [5] - 800V HVDC直接为IT机架供电,经DC - DC转换器转换为较低电压驱动GPU [6] - 该架构将端到端电力效率提高达5%,因电源故障减少使维护成本降低70%,通过直接连接HVDC到IT和计算机架降低冷却成本 [13] 纳微半导体技术优势 - 是氮化镓和碳化硅技术支持的人工智能数据中心解决方案的领导者,其高功率GaNSafe功率IC集成多种功能,具有高可靠性和鲁棒性 [7] - 提供中压(80 - 120V)氮化镓器件,针对二次侧DC - DC转换优化,适用于输出48V - 54V的人工智能数据中心电源 [8] - 凭借20年碳化硅创新领导地位,GeneSiC专有技术提供卓越性能,G3F SiC MOSFETs高效高速,可降低温度并延长使用寿命 [9] - 碳化硅技术电压范围广,已应用于多个兆瓦级储能和电网逆变器项目 [10] 纳微半导体产品成果 - 2023年8月推出高速高效3.2kW CRPS,尺寸比同类硅解决方案小40%;后推出4.5kW CRPS,功率密度达137W/in,效率超97% [12] - 2024年11月发布世界首个8.5kW人工智能数据中心电源,效率达98%,符合相关规范;还创建IntelliWeave数字控制技术,结合高功率器件使PFC峰值效率达99.3%,降低30%功率损耗 [12] - 5月21日在“AI Tech Night”展示最新12kW电源 [12] 纳微半导体公司概况 - 成立于2014年,是纯下一代功率半导体公司,拥有GaNFast和GeneSiC技术,专注于人工智能数据中心等多个市场,拥有超300项专利,提供20年GaNFast保修,是世界首个获得碳中和认证的半导体公司 [17]