文章核心观点 - 纳微半导体（Navitas）的氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术被选中支持英伟达（Nvidia）800V高压直流（HVDC）数据中心电力基础设施，以支持1兆瓦及以上的IT机架 [1][21] 合作信息 - 纳微半导体与英伟达合作，为其下一代800V HVDC架构提供支持，助力为GPU供电的“Kyber”机架级系统 [1] 英伟达800V HVDC架构优势 - 旨在为下一代人工智能工作负载建立高效、可扩展的电力输送，确保更高可靠性、效率并降低基础设施复杂性 [2] - 现有数据中心架构使用传统54V机架内配电，功率受限且存在物理限制，而英伟达将13.8kV交流电网电力直接转换为800V HVDC，可消除多个转换步骤，提高效率和可靠性 [3][4] - 800V HVDC可使铜线厚度最多减少45%，解决传统系统铜需求大的问题，满足人工智能数据中心高功率需求 [5] - 800V HVDC直接为IT机架供电，经DC - DC转换器转换为较低电压驱动GPU [6] - 该架构将端到端电力效率提高达5%，因电源故障减少使维护成本降低70%，通过直接连接HVDC到IT和计算机架降低冷却成本 [13] 纳微半导体技术优势 - 是氮化镓和碳化硅技术支持的人工智能数据中心解决方案的领导者，其高功率GaNSafe功率IC集成多种功能，具有高可靠性和鲁棒性 [7] - 提供中压（80 - 120V）氮化镓器件，针对二次侧DC - DC转换优化，适用于输出48V - 54V的人工智能数据中心电源 [8] - 凭借20年碳化硅创新领导地位，GeneSiC专有技术提供卓越性能，G3F SiC MOSFETs高效高速，可降低温度并延长使用寿命 [9] - 碳化硅技术电压范围广，已应用于多个兆瓦级储能和电网逆变器项目 [10] 纳微半导体产品成果 - 2023年8月推出高速高效3.2kW CRPS，尺寸比同类硅解决方案小40%；后推出4.5kW CRPS，功率密度达137W/in，效率超97% [12] - 2024年11月发布世界首个8.5kW人工智能数据中心电源，效率达98%，符合相关规范；还创建IntelliWeave数字控制技术，结合高功率器件使PFC峰值效率达99.3%，降低30%功率损耗 [12] - 5月21日在“AI Tech Night”展示最新12kW电源 [12] 纳微半导体公司概况 - 成立于2014年，是纯下一代功率半导体公司，拥有GaNFast和GeneSiC技术，专注于人工智能数据中心等多个市场，拥有超300项专利，提供20年GaNFast保修，是世界首个获得碳中和认证的半导体公司 [17]