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GaNFast™ gallium nitride power semiconductors
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Navitas to Exhibit Breakthrough Solutions for AI Data Center, Grid and Energy Infrastructure, Performance Computing, and Industrial Electrification at APEC 2026
Globenewswire· 2026-02-26 21:30
文章核心观点 - 公司将在APEC 2026展会上展示其针对AI数据中心、电网与能源基础设施、高性能计算及工业电气化领域的最新氮化镓和碳化硅功率半导体解决方案,突显其在宽禁带半导体技术领域的创新与领导地位 [1][7][10] 产品与技术创新 - 将推出采用三级半桥架构与同步整流技术的10kW“GaN驱动”800V至50V DC-DC平台,峰值效率达98.5%,功率密度为2.1 kW/in³,并支持AI数据中心的+/- 400 VDC标准 [2] - 将展示一款采用IntelliWeave™数字控制的12kW AI数据中心电源,以及8.5kW OCP电源和4.5kW CRPS电源 [2] - 为满足下一代固态变压器应用,公司将展示其最新的SiCPAK™功率模块,包括超高电压3300V和2300V解决方案以及1200V高压选项,转换效率超过98% [3] - 将首次亮相基于最新GaNFast™ IC创新的超紧凑240W和300W电源解决方案,以及适用于先进工业应用的400W至1kW高效率基于GaN的电机控制解决方案 [4] 技术演讲与行业交流 - 公司专家将在APEC 2026进行三场技术演讲,主题涵盖:利用先进的功率器件和封装技术最大化中高压碳化硅在关键能源基础设施中的性能与可靠性;高功率GaN IC在800V AI数据中心DC-DC砖式解决方案中实现领先效率与功率密度;以及由GaN双向开关实现的单级功率转换器 [5][12][16] 公司背景与实力 - 公司是下一代氮化镓和IC集成器件以及高压碳化硅技术的功率半导体领导者,在宽禁带技术领域拥有超过30年的综合专业知识 [7] - GaNFast™功率IC集成了GaN功率、驱动、控制、传感和保护功能,GeneSiC™高压碳化硅器件采用专利沟槽辅助平面技术 [7] - 公司拥有超过300项已授权或申请中的专利,并且是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司 [7]