文章核心观点 - 纳微半导体获吉利子公司VREMT颁发的“杰出技术合作奖”，其氮化镓和碳化硅解决方案助力电动汽车行业发展 [1][5] 获奖情况 - 纳微半导体获吉利子公司VREMT颁发的“杰出技术合作奖” [1] 合作成果 - 纳微与VREMT开设联合研发实验室，用GaNFast功率集成电路和GeneSiC功率MOSFET加速电动汽车动力系统开发，推动技术突破和高压电动汽车系统快速部署 [2] 产品进展 - 纳微推出行业首个采用HV - T2PaK顶侧冷却封装的汽车级“AEC - Plus”合格碳化硅MOSFET，满足严苛应用系统寿命要求，最新一代产品爬电距离达6.45毫米，符合高达1200V应用的IEC标准 [3] - 2025年4月推出达到AEC - Q100和AEC - Q101认证的汽车级GaNSafe™集成电路，集成多种功能，具备高可靠性和安全性 [4] 公司表态 - 纳微亚太区高级副总裁兼总经理表示该奖项证明公司技术领先及对电动汽车行业的承诺，其氮化镓和碳化硅解决方案可赋能极氪、沃尔沃和smart等车企，公司将继续推动创新与合作 [5] 公司介绍 - 纳微半导体是唯一纯业务、下一代功率半导体公司，2014年成立，庆祝功率创新10周年，拥有GaNFast™功率集成电路和GeneSiC™功率器件，专注多个市场，有超300项专利，提供20年GaNFast质保，是全球首个获碳中和认证的半导体公司 [6]

文章核心观点 Navitas Semiconductor推出适用于超大规模AI数据中心的12kW电源供应单元参考设计，满足高功率、高密度服务器机架的OCP要求，能为客户提供高效、简单且经济的解决方案 [1][7] 产品信息 - 12kW PSU符合Open Rack v3规格和Open Compute Project指南，采用Gen - 3 Fast SiC MOSFETs、IntelliWeave™数字平台和高功率GaNSafe ICs，配置为3相交错TP - PFC和FB - LLC拓扑，确保高效能和高性能，同时减少组件数量 [2] - 3相交错图腾柱功率因数校正由Gen - 3 Fast SiC MOSFETs驱动，具有“沟槽辅助平面”技术，性能卓越，可支持更快充电的电动汽车和更强大的AI数据中心 [3] - IntelliWeave数字控制提供临界传导模式和连续传导模式的混合控制策略，相比现有连续传导模式解决方案，功率损耗降低30% [4] - 3相交错全桥LLC拓扑由4代高功率GaNSafe ICs实现，集成多种功能，可靠性和耐用性高，适用于1kW至22kW应用 [5] - PSU尺寸为790 x 73.5 x 40 mm，输入电压范围180 – 305 VAC，输出最高50 VDC，有多种保护功能，工作温度范围 - 5至45°C，保持时间≥20 ms，浪涌电流≤3倍稳态电流，通过内部风扇冷却 [6] 公司信息 - Navitas Semiconductor是唯一专注于下一代功率半导体的公司，成立于2014年，有10年功率创新历史，拥有超300项专利，提供GaNFast™功率IC和GeneSiC™功率器件，专注多个市场，是全球首家获得碳中和认证的半导体公司 [8] 相关活动 - 12kW PSU于5月21日在Navitas的“AI Tech Night”上展示，同期还有台湾电脑展 [7]

核心观点 - 公司将在PCIM 2025展览会上展示多项GaN和SiC技术突破 覆盖AI数据中心、电动汽车、电机驱动和工业应用领域 [1][2] 技术突破与产品发布 - 全球首款量产650V双向GaNFast IC和IsoFast高速隔离门极驱动器 实现从两阶段到单阶段拓扑结构的转变 目标应用包括电动汽车充电、太阳能逆变器、储能和电机驱动 [3] - 汽车级高功率GaNSafe™ IC 通过Q100和Q101认证 适用于车载充电器和HV-LV DC-DC转换器 基于超过7年生产和现场数据验证可靠性 [3] - 最新SiCPAK功率模块采用环氧树脂灌封技术和GeneSiC™沟槽辅助平面技术 热阻变化降低5倍 延长系统寿命 目标市场包括电动汽车直流快充、工业电机驱动、不间断电源、太阳能逆变器和储能系统 [3] - 新发布GaNSense™电机驱动IC 具备双向无损电流检测、电压检测和温度保护功能 性能超越任何分立GaN或硅器件 [3] - 汽车认证(AEC-Q101)第三代快速SiC MOSFET 采用沟槽辅助平面技术 提供领先的高温性能 支持更快充电的电动汽车和高达3倍功率的AI数据中心 [3] - GaNSlim™高集成度GaN功率IC 简化小尺寸高功率密度应用开发 目标应用包括移动设备、笔记本电脑充电器、电视电源和高达500W的照明系统 [3] AI数据中心电源解决方案 - 全球首款8.5kW OCP电源解决方案 效率达98% 采用高功率GaNSafe™ IC和第三代快速SiC MOSFET 实现最高效率和最少元件数量 [3] - 全球最高功率密度AI电源 在最小尺寸下提供4.5kW功率 功率密度达137W/in³ 效率超过97% 满足最新AI GPU每机架3倍功率需求 [3] - IntelliWeave专利数字控制技术 结合高功率GaNSafe™和第三代快速SiC MOSFET 实现PFC峰值效率99.3% 较现有解决方案降低功率损耗30% [3] 公司背景与行业地位 - 公司是唯一纯下一代功率半导体企业 专注于GaN功率IC和SiC技术 拥有10年创新历史 [4] - GaNFast™功率IC集成GaN功率、驱动、控制、传感和保护功能 实现更快充电、更高功率密度和更高能效 [4] - GeneSiC™功率器件针对高功率、高电压和高可靠性SiC解决方案 重点市场包括电动汽车、太阳能、储能、家电/工业、数据中心、移动和消费电子 [4] - 公司拥有超过250项已授权或申请中专利 提供行业首个且唯一20年GaNFast保修 是全球首家碳中认证半导体企业 [4]