文章核心观点 公司宣布推出面向高达600W家用电器和工业驱动器的GaNSense™电机驱动IC新品，该产品具有高效、低成本、小尺寸等优势 [1] 产品特点 - 全集成解决方案将半桥配置的两个GaN FET与驱动、控制、传感和自主保护相结合，与传统硅IGBT解决方案相比，效率提高4%，PCB尺寸减小40%，系统成本降低15% [2] - 具备双向无损电流感应功能，可测量正负电流，无需外部分流电阻，提高效率、可靠性并使设计更紧凑 [3] - 开关的导通和关断转换速率完全可调，可优化EMI、性能并最大化效率 [4] - 具有自主续流功能，检测到反向电流时开启GaN IC，降低传导损耗、最大化效率并减小散热器尺寸和成本 [4] - 具备多种安全功能，如高低侧短路保护、过温保护和2kV ESD防护 [4] 产品型号及应用 - 650V系列包括NV6257、NV6287和NV6288，支持高达600W的驱动器 [5] - 目标应用集中在高达600W的电机驱动器，涵盖家用电器和低功率工业驱动器 [5] 产品展示及信息获取 - 产品将在PCIM 2025上展示 [6] - 可通过指定链接获取数据手册，或联系指定邮箱获取更多信息 [6] 公司介绍 - 公司是唯一的纯下一代功率半导体公司，成立于2014年，拥有10年功率创新历史 [7] - 其GaNFast™功率IC集成氮化镓功率和驱动，具备控制、传感和保护功能；GeneSiC™功率器件是优化的高功率、高压、高可靠性碳化硅解决方案 [7] - 专注市场包括AI数据中心、电动汽车、太阳能、储能、家电/工业、移动和消费等领域 [7] - 拥有300多项已发布或待发布专利，提供行业首个也是唯一的20年GaNFast保修，是全球第一家获得碳中和认证的半导体公司 [7]

核心观点 - 公司将在PCIM 2025展览会上展示多项GaN和SiC技术突破 覆盖AI数据中心、电动汽车、电机驱动和工业应用领域 [1][2] 技术突破与产品发布 - 全球首款量产650V双向GaNFast IC和IsoFast高速隔离门极驱动器 实现从两阶段到单阶段拓扑结构的转变 目标应用包括电动汽车充电、太阳能逆变器、储能和电机驱动 [3] - 汽车级高功率GaNSafe™ IC 通过Q100和Q101认证 适用于车载充电器和HV-LV DC-DC转换器 基于超过7年生产和现场数据验证可靠性 [3] - 最新SiCPAK功率模块采用环氧树脂灌封技术和GeneSiC™沟槽辅助平面技术 热阻变化降低5倍 延长系统寿命 目标市场包括电动汽车直流快充、工业电机驱动、不间断电源、太阳能逆变器和储能系统 [3] - 新发布GaNSense™电机驱动IC 具备双向无损电流检测、电压检测和温度保护功能 性能超越任何分立GaN或硅器件 [3] - 汽车认证(AEC-Q101)第三代快速SiC MOSFET 采用沟槽辅助平面技术 提供领先的高温性能 支持更快充电的电动汽车和高达3倍功率的AI数据中心 [3] - GaNSlim™高集成度GaN功率IC 简化小尺寸高功率密度应用开发 目标应用包括移动设备、笔记本电脑充电器、电视电源和高达500W的照明系统 [3] AI数据中心电源解决方案 - 全球首款8.5kW OCP电源解决方案 效率达98% 采用高功率GaNSafe™ IC和第三代快速SiC MOSFET 实现最高效率和最少元件数量 [3] - 全球最高功率密度AI电源 在最小尺寸下提供4.5kW功率 功率密度达137W/in³ 效率超过97% 满足最新AI GPU每机架3倍功率需求 [3] - IntelliWeave专利数字控制技术 结合高功率GaNSafe™和第三代快速SiC MOSFET 实现PFC峰值效率99.3% 较现有解决方案降低功率损耗30% [3] 公司背景与行业地位 - 公司是唯一纯下一代功率半导体企业 专注于GaN功率IC和SiC技术 拥有10年创新历史 [4] - GaNFast™功率IC集成GaN功率、驱动、控制、传感和保护功能 实现更快充电、更高功率密度和更高能效 [4] - GeneSiC™功率器件针对高功率、高电压和高可靠性SiC解决方案 重点市场包括电动汽车、太阳能、储能、家电/工业、数据中心、移动和消费电子 [4] - 公司拥有超过250项已授权或申请中专利 提供行业首个且唯一20年GaNFast保修 是全球首家碳中认证半导体企业 [4]