Gen 3 650 V and 1200 V silicon carbide (SiC) Schottky diodes

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Vishay Intertechnology Gen 3 650 V and 1200 V SiC Schottky Diodes Increase Efficiency While Enhancing Electrical Insulation
Globenewswire· 2025-07-09 23:00
文章核心观点 Vishay Intertechnology推出三款新型Gen 3 650 V和1200 V碳化硅肖特基二极管,具有低电容电荷、高最小爬电距离等特性,能提高高速硬开关电源设计效率,适用于多种领域 [1] 产品特性 - 采用紧凑型薄型SlimSMA HV (DO - 221AC)封装,1 A和2 A器件低电容电荷,最小爬电距离3.2 mm [1] - 高爬电距离提供更好电气隔离,SlimSMA HV封装模塑料CTI ≥ 600确保良好电气绝缘 [2] - 低外形高度0.95 mm,小于类似尺寸的竞争SMA和SMB封装的2.3 mm [2] - 电容电荷低至7.2 nC,不受温度影响,开关速度快、功率损耗低、高频应用效率高 [3] - 几乎无恢复尾,MPS结构使正向压降降至1.30 V [3] - 工作温度高达 +175 °C,具有正温度系数便于并联 [4] - 符合RoHS标准且无卤,湿度敏感度等级为1,满足JESD 201 2类晶须测试 [5] 产品规格 | 型号 | 电流IF (A) | 电压VR (V) | 正向压降VF at IF (V) | 反向电流IR at VR at 175 C (μA) | 电容电荷QC (nC) | 配置 | 封装 | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | VS - 3C01EJ12 - M3 | 1 | 1200 | 1.35 | 4.5 | 7.5 | | SlimSMA HV (DO - 221AC) | | VS - 3C02EJ07 - M3 | 2 | 650 | 1.30 | 2.0 | 7.2 | | SlimSMA HV (DO - 221AC) | | VS - 3C02EJ12 - M3 | 2 | 1200 | 1.35 | 5.0 | 13 | | SlimSMA HV (DO - 221AC) | [6] 应用领域 - 适用于服务器电源、能源生成和存储系统、工业驱动器和工具、X射线发生器等领域的DC/DC和AC/DC转换器中的自举、反并联和PFC二极管 [4] 供货情况 - 新碳化硅二极管样品和量产产品已可提供,交货周期14周 [8] 公司介绍 - Vishay生产全球最大的分立半导体和无源电子元件产品组合之一,服务于多个市场 [9] 产品资料链接 - VS - 3C01EJ12 - M3数据手册链接:http://www.vishay.com/ppg?97284 [11] - VS - 3C02EJ07 - M3数据手册链接:http://www.vishay.com/ppg?97287 [11] - VS - 3C02EJ12 - M3数据手册链接:http://www.vishay.com/ppg?97286 [11] 联系方式 - Vishay Intertechnology:Peter Henrici,+1 408 567 - 8400,peter.henrici@vishay.com [11] - Redpines:Bob Decker,+1 415 409 - 0233,bob.decker@redpinesgroup.com [11]