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GeneSiC™ silicon carbide (SiC) power semiconductors
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Navitas to Present at the Morgan Stanley Technology, Media & Telecom Conference on March 3, 2026
Globenewswire· 2026-02-26 05:05
公司近期活动 - 公司宣布将参加于2026年3月3日在旧金山皇宫酒店举行的摩根士丹利技术、媒体和电信会议 [2] - 公司总裁兼首席执行官Chris Allexandre将于太平洋时间2026年3月3日星期二下午12:20主持炉边谈话,并将在全天与参会投资者会面 [2] - 炉边谈话的现场及存档音频网络直播将在公司投资者关系网站的“活动”部分提供 [3] 公司业务与技术概况 - 公司是下一代氮化镓和碳化硅功率半导体领域的领导者,专注于GaNFast™氮化镓、GeneSiC™碳化硅功率半导体以及高压碳化硅技术 [4] - 公司技术驱动着人工智能数据中心、能源与电网基础设施、高性能计算和工业电气化等领域的创新 [4] - GaNFast™功率IC集成了氮化镓功率、驱动、控制、传感和保护功能,可实现更快的功率传输、更高的系统密度和更高的效率 [4] - GeneSiC™高压碳化硅器件采用专利的沟槽辅助平面技术,为中压电网和基础设施应用提供行业领先的电压能力、效率和可靠性 [4] - 公司在宽禁带技术领域拥有超过30年的综合专业知识 [4] - 公司拥有超过300项已授权或正在申请的专利 [4] - 公司是全球首家获得碳中和认证的半导体公司 [4] 公司品牌与标识 - Navitas Semiconductor、GaNFast、GaNSense、GeneSiC和Navitas标志是Navitas Semiconductor Limited及其附属公司的商标或注册商标 [5]
Navitas Unveils 5th Generation SiC Trench-Assisted Planar (TAP) Technology
Globenewswire· 2026-02-12 21:30
公司技术发布 - Navitas Semiconductor 发布了其第五代 GeneSiC 碳化硅 (SiC) 技术平台,该平台采用高压 (HV) SiC 沟槽辅助平面 (TAP) MOSFET 技术,代表了较前几代技术的重大飞跃 [1] - 该第五代平台将提供业界领先的1200V MOSFET产品线,并补充了公司基于第四代GeneSiC平台的超高电压 (UHV) 2300V和3300V技术,巩固了其在AI数据中心、电网与能源基础设施以及工业电气化领域的领先地位 [1] 技术性能与架构 - 第五代MOSFET平台采用了公司迄今最紧凑的TAP架构,结合了平面栅的坚固性和源极区域沟槽结构带来的优异性能品质因数,同时提升了高压电力电子的效率和寿命可靠性 [2] - 与上一代1200V技术相比,第五代平台在功率转换方面实现了新的基准,其RDS,ON × QGD品质因数 (FoM) 提升了35%,这显著降低了开关损耗,使得在苛刻的功率级中能够实现更低温运行和更高工作频率 [3] - 通过将QGD / QGS比率提升约25%,并结合稳定的高阈值电压规格 (VGS,TH ≥ 3V),该技术确保了抗寄生导通能力,即使在高噪声环境下也能提供稳健且可预测的门极驱动 [4] - 该技术通过优化RDS(ON) × EOSS特性显著改善了动态性能,并集成了“软体二极管”技术,通过最小化电磁干扰 (EMI) 和确保高速开关周期中更平滑的换相,进一步增强了系统稳定性 [5] 产品可靠性与应用 - 该代产品通过了AEC-Plus等级认证,确保了在AI数据中心、能源和电网基础设施应用中的长期稳定性和耐久性 [6] - 关键可靠性基准包括:静态高温高压测试 (HTRB, HTGB, HTGB-R) 的持续时间延长了3倍;进行了代表严苛快速开关应用任务场景的动态反向偏压 (DRB) 和动态门极开关 (DGS) 测试;在长期开关应力下具有最低的VGS,TH漂移,保证了稳定的长期效率;在18V工作VGS和175°C条件下,外推的门极氧化物失效时间超过100万年;以及极低的FIT (故障时间) 率,确保了在高海拔和高运行时间环境下的关键任务可靠性 [8] - 公司SiC业务部副总裁兼总经理Paul Wheeler表示,第五代GeneSiC技术的重大改进彰显了公司致力于提供业界领先的碳化硅MOSFET性能和可靠性的承诺 [6] 公司背景与市场定位 - Navitas Semiconductor 是下一代氮化镓 (GaN) 和IC集成器件以及高压碳化硅 (SiC) 技术领域的功率半导体领导者,推动着AI数据中心、高性能计算、能源与电网基础设施以及工业电气化领域的创新 [8] - 公司拥有超过30年的宽禁带技术综合专长,其GaNFast™功率IC集成了GaN功率、驱动、控制、传感和保护功能,可提供更快的功率传输、更高的系统密度和更高的效率 [9] - GeneSiC™高压SiC器件利用获得专利的沟槽辅助平面技术,为中压电网和基础设施应用提供业界领先的电压能力、效率和可靠性 [9] - 公司拥有超过300项已授权或正在申请的专利,并且是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司 [9] 产品规划与信息 - 公司将在未来几个月内宣布基于该第五代技术平台的新产品 [7] - 关于该技术的白皮书可从Navitas网站免费下载 [6]