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存储追踪(2 月):尽管受春节假期影响,价格依然保持坚挺-MEMORY TRACKER (Feb) Price stayed robust despite CNY
2026-03-06 10:02
**涉及行业/公司** * **行业**:全球存储芯片行业,包括DRAM和NAND闪存市场 [1] * **公司**:三星电子、SK海力士、美光科技、铠侠、闪迪 [6][8][9][10][11][12] **核心观点与论据** **1. 2026年2月价格走势总结** * **DRAM**:2月合约价较1月进一步小幅上涨,因一季度合约谈判基本结束 2月DRAM合约均价较2025年第四季度上涨92% [3][6][18] * **NAND**:2月NAND晶圆合约价同样环比上涨,但增速因春节和模组厂抵触情绪而放缓 2月NAND晶圆合约价较2025年第四季度上涨97-133% [4][5][20] * **一季度整体涨幅**:预计2026年一季度DRAM合约价将较2025年第四季度上涨92%,NAND合约价将上涨109% [6][25] **2. 分产品类别价格动态** * **PC DRAM**:2月现货价环比上涨6-7%,增速因春节放缓 DDR4 8Gb芯片现货价从1月的30.8美元涨至2月的32.9美元,DDR5 16Gb芯片从18.6美元涨至19.8美元 [2][18] 2月PC DRAM合约价环比小幅上涨,混合均价较2025年第四季度上涨约105-110% [18] * **服务器DRAM**:2月服务器DDR5现货价环比再涨16%,DDR4现货价持平 [2] 2月服务器DRAM合约价环比微涨,混合均价较2025年第四季度上涨95-100% [20] 服务器DDR4合约价环比持平,仍较2025年第四季度高97% [20] * **移动DRAM**:TrendForce估计2026年一季度移动DRAM合约价将环比上涨85-90% [20] * **消费类DRAM**:2月特种DRAM合约价环比上涨9-10%,较2025年第四季度上涨71-85% [20] * **NAND晶圆**:2月NAND晶圆现货价增速放缓至约10%环比 [22] 2月NAND晶圆合约价环比上涨15-25%,较2025年第四季度上涨97-133% [25] * **移动NAND (eMMC/UFS)**:TrendForce将2026年一季度移动NAND合约价涨幅预估上调至环比约95%,此前预估为约60% [5][25] **3. 需求与供应展望** * **需求分化**:尽管PC和移动端客户因价格上涨的弹性效应而削减DRAM需求,但服务器需求仍未被充分满足,短缺持续 [3][14][20] 预计PC和智能手机出货量将因内存价格上涨而收缩,全年PC出货量预计下降8%,智能手机出货量可能收缩7-15% [19][20] * **价格展望**:由于服务器需求强劲,预计价格上涨将持续至2026年第二季度及以后 [3][14] 但随着PC和移动端消费需求因价格弹性显著下降,预计2026年下半年涨幅将放缓并可能趋于平稳,2027年价格可能开始下跌 [6][20] * **供应方动态**:美光在1月率先发布官方报价,韩国厂商在2月发布的报价略高但大体一致 [19] 供应商向DDR5的结构性转移,导致用于消费类应用的旧款DRAM供应紧张可能持续一段时间 [20] * **客户反应**:观察到模组厂和客户对涨价的犹豫和抵触情绪增加 [6][20][22] 云端服务提供商对内存价格仍持“接受”态度,并积极与供应商讨论长期协议 [20] **4. 投资建议与目标价** * **三星电子**:评级为“跑赢大盘”,目标价140,000韩元 [8] * **SK海力士**:评级为“跑赢大盘”,目标价750,000韩元 [9] * **美光科技**:评级为“跑赢大盘”,目标价330.00美元 [10] * **铠侠**:评级为“落后大盘”,目标价7,000.00日元 [11] * **闪迪**:评级为“跑赢大盘”,目标价1,000.00美元 [12] **其他重要但可能被忽略的内容** **1. 方法论与数据说明** * 行业平均价格变化基于对不同应用产品的样本进行加权平均计算得出,权重反映了其对整体市场的贡献,并针对DDR5和LPDDR5的渗透率进行了调整 [24] DRAM平均权重为:移动34%、服务器34%、PC 9%、特种DRAM 15% [24] NAND平均权重为:eMMC/UFS 40%、NAND晶圆 60% [24] * 高带宽内存和固态硬盘不在样本内,会单独讨论 [13][24] 公司报告的平均销售价格可能与追踪的合约价涨幅不同,原因是合约覆盖期与自然季度不完全一致、产品组合差异以及HBM价格影响等因素 [18][25] **2. 风险提示** * **共同下行风险**:对三星、SK海力士、美光而言,主要下行风险是 favorable pricing environment 提前结束,原因可能是需求走弱或供应增加 投资者情绪和估值倍数变化也是风险 中国在存储领域(尤其是NAND)的进展是下行风险 [104][105][106] * **铠侠上行风险**:包括NAND需求增长超预期、日本政府提供有利的资本支出补贴、成本削减优于预期 [108] * **闪迪下行风险**:包括NAND周期性下行、公司披露和沟通令人困惑可能劝退投资者、NAND疲软可能超出当前周期并更具结构性 [108] **3. 长期结构性因素** * **技术迭代**:DDR5在2026年一季度服务器DRAM市场中占比可能已超过90% [20] 供应商向DDR5的结构性转移导致消费类应用的旧款DRAM供应紧张可能持续 [20] * **中国竞争**:长期对NAND市场持更谨慎态度,原因是中国(如长江存储)带来的竞争加剧 [25]