产品发布与核心技术 - 公司推出首款专为宽禁带化合物半导体制造设计的Ultra ECDP电化学去镀设备 [1] - 该设备用于晶圆图形区域外的电化学金蚀刻，能提供更高的均匀性、更小的底切和改善的金线外观 [1] - 设备提供专业工艺，包括金凸块去除、薄膜金蚀刻和深孔金去镀，并集成预湿和清洗腔室 [2] - 设备采用精确的化学液循环和先进的多阳极电化学去镀技术，实现最小化侧蚀、优异的表面光洁度及所有特征上的卓越均匀性 [2] - 设备采用模块化设计，可在单一平台内集成镀和去镀工艺，并利用多阳极技术控制不同区域的去镀 [3] - 设备提供水平全表面去镀功能，以防止加工过程中的交叉污染 [3] 市场定位与应用领域 - 化合物半导体市场在电动汽车、5G/6G通信、射频和人工智能应用的强劲需求下持续增长 [3] - 金成为这些器件的优势材料，具有高导电性、耐腐蚀性和延展性，但也带来了蚀刻和电镀挑战 [3] - Ultra ECDP工具旨在满足化合物半导体制造不断变化的需求，可适应不同衬底（如碳化硅、砷化镓、磷酸锂）的独特物理特性 [3] 产品规格与兼容性 - Ultra ECDP工具兼容6英寸和8英寸平台，支持150毫米、159毫米和200毫米晶圆尺寸 [4] - 系统可配置两个开放式片盒和一个真空机械臂，为各种制造环境提供适应性 [4]