金刚石MOSFET技术突破 - 日本产业技术综合研究所与本田技术研究院合作成功试制p型金刚石MOSFET原型并首次实现安培级高速开关操作 [1] - 该技术计划应用于下一代移动动力装置并进行运行验证以实现社会化应用 [1] - 金刚石半导体被称为终极半导体具有实现高能量效率等优异性能 [1] 技术实现细节 - 研究团队采用半英寸单晶金刚石衬底通过氢终止二维空穴载气工艺制作大量p型功率MOSFET [2] - 采用并行布线技术增加电流处理能力总栅极宽度达到32cm [3] - 单个元件栅极宽度为1020μm且在同一基板上实现高成品率制造 [2] 性能测试结果 - 并联314个单体元件后驱动电流达到2.5A [3] - 开关速度测试显示下降时间19纳秒上升时间32纳秒 [3] 应用前景 - 金刚石半导体有望应用于电动汽车和可再生能源等多个领域 [1] - 目前面临晶体生长和加工等产业化挑战 [1]