技术性能 - B-TRAN的电气性能已得到验证，击穿电压为1240V，开态电压为0.22V，增益为2.2[10] - B-TRAN的双向开关导通损耗比IGBT和阻断二极管低约5倍，典型电压降为0.65V[11] - B-TRAN的最大工作电压为1200V，硅碳化物（SiC）版本的最大工作电压可达7200V[16] 市场趋势 - 当前IGBT市场规模为49亿美元，预计到2022年将增长至74亿美元，年均增长率为10.6%[12] - Ideal Power的B-TRAN技术在数据中心的应用潜力巨大，预计将推动高利润销售的快速增长[14] 用户数据与节能潜力 - 美国数据中心在2020年消耗了730亿千瓦时的电力，损耗超过13%，UPS系统占数据中心总能量损耗的6%[13] - 提高UPS效率从90%提升至95%可为大型商业数据中心每年节省约220万美元[13] 知识产权与研发 - Ideal Power拥有49项已授予专利和36项待审专利，涵盖B-TRAN设备架构及相关制造技术[17] 市场策略 - B-TRAN的市场进入策略是向已建立的UPS供应商提供产品，以促进快速采用[15] - B-TRAN的设计使其能够替代四个设备，降低用户成本[9]