纪要涉及的行业和公司 - 行业：半导体行业 - 公司：Intel（英特尔）、TSMC（台积电）、IBM、三星、Global Foundries等 纪要提到的核心观点和论据 半导体发展现状与趋势 - 摩尔定律持续驱动：在新的“3D时代”，摩尔定律继续推动行业发展，需借助新型材料、器件、集成电路和封装解决方案 [68] - 面临功率墙困境：随着CMOS缩放，晶体管能量虽有下降，但无法跟上密度和频率增长，功率密度接近约束，需通过新性能创新解决，以实现Vcc缩放 [60][68] Intel的技术战略与进展 - 制程节点推进：计划在4年内交付5个节点，如20A、18A等，致力于到2024年实现每瓦性能（PPW）平价，2025年取得领先地位 [19][20][21] - 先进封装重要性：先进封装是推动摩尔定律的关键因素，Intel拥有多种先进封装技术，如EMIB、Foveros等，具备领先的分选测试能力、功率性能热管理等能力 [16][22] - 3D晶体管技术：RibbonFET具有改善静电特性、提高驱动电流、灵活设计等优势，各大公司都在采用GAA架构，但需进行显著的工艺优化 [26][29] - 未来3D架构探索：包括顺序3D堆叠、单片堆叠等，虽能增加密度和缩放，但面临热预算限制、设计挑战等问题 [38][43] - 3D互连与存储技术：PowerVia等3D互连技术可独立优化电源和信号互连，提高效率；3D内存如高密度NAND和DRAM有高保留、读写速度快等特点 [48][57] 新型材料与器件研究 - 2D材料潜力：2D过渡金属二硫属化物（TMD）具有更好的栅极控制、迁移率和低隧穿等优势，有望成为硅的替代材料，但面临生长、接触电阻等挑战 [92][116][144] - 超低能耗器件探索：为应对能源危机，需开发更节能的器件，如磁电自旋轨道（MESO）器件，可大幅降低计算功耗，目前已取得一定进展 [150][160][178] 其他重要但可能被忽略的内容 - Intel Oregon的贡献：Intel在俄勒冈州的研发中心是许多开创性工艺创新的发源地，对全球半导体发展有重要贡献 [70][73] - Intel的开发方法：通过识别技术和产品差距、探索基础科学、选择路径并集成等步骤，建立完整的开发流程，确保技术和产品目标实现 [75] - 研究工具与应用：拥有多种材料合成、沉积、加工和测量工具，应用于非逻辑和逻辑领域，如GaN铁电体、Si光子互连等 [78][79]