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全球存储行业:NAND 闪存上涨但能否持续?以及 DRAM 高带宽内存(HBM)为何可以?-Global Memory: NAND rallies but can't sustain? And why DRAM HBM can?
Micron TechnologyMicron Technology(US:MU)2025-09-22 10:01

行业与公司 - 全球内存行业 涵盖NAND闪存 DRAM及HBM市场 涉及公司包括三星 SK海力士 美光 铠侠[1][13] - 三星 SK海力士 美光获"跑赢大盘"评级 目标价分别为韩元95,000 韩元400,000 美元170[7][9][10][11] - 铠侠获"跑输大盘"评级 目标价为日元3,500[1][12] NAND市场核心观点与论据 - NAND价格短期受AI推理需求及硬盘短缺支撑 涨幅从企业级SSD扩展至消费级领域 但结构性谨慎[2][14] - 价格上涨触发因素包括供应商惜售及买家提前采购 预计2025年第三季度和第四季度环比涨幅达7-8%[15] - 硬盘短缺因供应商资本开支保守 等待时间长达一年 导致云服务提供商转向企业级SSD替代 尽管成本高3-4倍[15][29] - 中国长江存储产能扩张 全球份额从10%升至2027年中期15% 但地缘政治限制其进入西方云服务市场[15][24] - 供应商可能增加产能 新供应预计2026年下半年上市 导致价格在2026年第四季度转为下跌[3][27][29] - 铠侠账面价值未来12个月增长80% 但远期市净率1.4倍接近历史高位 未反映结构性担忧及2026年下行风险[4][29] DRAM与HBM市场核心观点与论据 - HBM需求强劲 2026年位元出货量同比增长53% 竞争加剧但增长可吸收供应增加[6][55][56] - 英伟达要求HBM4速度从8Gb/s提升至10-11Gb/s 美光因基片工艺落后可能面临挑战 三星采用4nm基片和1cnm存储片具优势[5][52] - HBM3E价格2026年下降约20% 但HBM4溢价保持混合均价平稳 成本降幅超预期缓解利润压力[6][54][58] - 中国长鑫存储DDR5转型困难 支撑主流DRAM价格 预计2026年保持稳健[6][54] - 三星HBM份额2026年提升至38% 但市场扩张仍使所有供应商增长[54][60] 财务预测与估值 - 三星2025年每股收益预测为韩元4,686 2026年韩元8,080 市净率1.6倍接近历史平均[66][84] - SK海力士2025年每股收益预测为韩元50,488 2026年韩元64,734 市净率2.3倍近历史峰值[68][86] - 美光2025年非GAAP每股收益预测为美元8.14 2026年美元14.64 市净率3.1倍近历史峰值[69][88] - 铠侠2025年每股收益预测为日元386 2026年日元659 但预计2026年第四季度盈利转跌[29][42] - 共识预期未充分反映NAND价格涨势及HBM需求 机构预测高于市场预期[7][67] 其他重要内容 - 存储需求增长2027年放缓 NAND均价2025年下降10% 2026年增长13%[15][27] - QLC SSD成本仍比硬盘高3-4倍 限制长期替代潜力[29][38] - 供应商产能升级至新节点 导致短期产能损失但长期位元产出增加[29][35] - 英伟达提升性能以保持领先优势 ASIC供应商2027年缩小与英伟达差距[52]