财务数据和关键指标变化 - 公司2025财年第四季度营收达到创纪录的113亿美元，环比增长22%，同比增长46% [19] - 2025财年全年营收达到创纪录的374亿美元，同比增长49% [4][19] - 2025财年第四季度非GAAP毛利率为457%，环比上升670个基点 [22] - 2025财年全年非GAAP毛利率为41%，较上一财年提升17个百分点 [4][19] - 2025财年第四季度非GAAP每股收益为303美元，环比增长59%，同比增长157% [23] - 2025财年全年非GAAP每股收益为829美元，同比增长538% [19] - 2025财年第四季度运营现金流为57亿美元，资本支出为49亿美元，自由现金流为8.03亿美元 [23] - 2025财年全年自由现金流为37亿美元，占营收的10% [24] - 2025财年第四季度末库存为84亿美元，库存天数为124天，环比下降15天 [24] - 公司预计2026财年第一季度营收将创纪录地达到125亿美元±3亿美元，毛利率预计为515%±100个基点，每股收益预计为375美元±015美元 [27] 各条业务线数据和关键指标变化 - DRAM业务在2025财年第四季度营收达到创纪录的90亿美元，同比增长69%，占公司总营收的79%，环比增长27% [19] - 2025财年全年DRAM营收达到创纪录的286亿美元，同比增长62% [19] - NAND业务在2025财年第四季度营收为23亿美元，同比下降5%，占公司总营收的20%，环比增长5% [20] - 2025财年全年NAND营收达到创纪录的85亿美元，同比增长18% [20] - 云内存业务单元在2025财年第四季度营收为45亿美元，占公司总营收的40%，环比增长34%，毛利率为59%，环比提升120个基点 [21] - 核心数据中心业务单元在2025财年第四季度营收为16亿美元，占公司总营收的14%，环比增长3%，毛利率为41%，环比提升400个基点 [21] - 移动客户端业务单元在2025财年第四季度营收为38亿美元，占公司总营收的33%，环比增长16%，毛利率为36%，环比提升12个百分点 [22] - 汽车与嵌入式业务单元在2025财年第四季度营收为14亿美元，占公司总营收的13%，环比增长27%，毛利率为31%，环比提升540个基点 [22] 各个市场数据和关键指标变化 - 数据中心业务在2025财年贡献了公司总营收的56%，毛利率达到52% [10] - HBM业务在2025财年第四季度营收增长至近20亿美元，年化运行率接近80亿美元 [10] - 公司预计2025日历年服务器总出货量将增长约10%，高于此前预期的中个位数百分比增长 [9] - 公司预计2025日历年PC出货量将增长中个位数百分比，高于此前预期的低个位数百分比增长 [14] - 公司预计2025日历年智能手机出货量将保持低个位数百分比增长预期不变 [15] - 汽车和工业市场需求在整个季度内走强，超出最初预测 [16] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 公司在先进技术领域保持领先地位，包括HBM、1-gamma DRAM和G9 NAND [5] - 1-gamma DRAM节点以比上一代快50%的速度达到成熟良率，并已开始向主要超大规模客户出货 [7] - G9 NAND的生产爬坡进展顺利，已为TLC和QLC NAND进行爬坡，并完成了企业级存储的QLC NAND认证 [7] - 公司正在爱达荷州建设新的高产量制造工厂，并已开始第二座工厂的设计工作 [8] - 公司在新加坡的HBM组装和测试设施建设进展良好，预计将于2027日历年投入使用 [9] - 公司计划继续投资日本的生产能力，以满足未来先进内存技术的需求 [9] - 公司正在整个公司范围内使用AI，在某些生成式AI用例中实现了30%至40%的生产效率提升 [6] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - AI驱动的需求正在加速，行业DRAM供应紧张 [5] - 公司预计2025日历年行业DRAM位元需求增长将处于高十几百分比范围，高于此前预期 [17] - 公司预计2025日历年行业NAND位元需求增长也将高于此前预期，现在处于低至中十几百分比范围 [17] - 公司预计在2026日历年行业DRAM供应将进一步紧张，NAND市场状况将继续走强 [18] - 客户库存水平总体健康，供应商库存紧张 [17][52] - 公司预计中期内行业DRAM和NAND的位元需求增长都将处于中十几百分比类别 [18] 其他重要信息 - 公司在2025财年投资了138亿美元的资本支出 [18] - 公司预计2026财年的资本支出将高于2025财年水平，主要用于DRAM前端设备和晶圆厂建设 [18][54] - 公司2026财年将是53周，而2025财年是52周 [26] - 公司预计2026财年第一季度运营费用约为134亿美元，主要由与数据中心产品创新和研发相关的费用推动 [26][27] - 公司预计2026财年第一季度及全年的税率约为165% [26] 问答环节所有的提问和回答 问题: 关于2026财年第一季度营收增长在DRAM和NAND之间的拆分以及毛利率的影响因素 [30] - 回答指出第一季度增长将更侧重于DRAM，毛利率580个基点的环比扩张由产品组合、定价和成本削减共同驱动 [31][32] 问题: 关于HBM总目标市场的更新以及2026年的展望 [33] - 回答重申了到2030年HBM总目标市场达到1000亿美元的长期预期，并指出HBM位元增长将超过整体DRAM增长，HBM的价值主张持续增加 [34][35][36] 问题: 关于从HBM3E向HBM4的过渡时间、HBM3E在2026年的定价方向以及HBM份额变化 [39] - 回答指出HBM4将在2026日历年第二季度开始量产，2026年下半年爬坡，2026年公司HBM份额将增长，HBM3E的定价协议已与几乎所有客户完成，但未评论具体定价 [40][41] 问题: 关于毛利率在2026财年剩余时间的走势以及云数据中心业务毛利率的扩张空间 [42] - 回答预计毛利率将在第二季度实现环比改善，受DRAM供应紧张、定价、NAND业务改善、产品组合和成本表现推动，并预计2026年HBM和非HBM业务的毛利率都将保持健康 [43][44] 问题: 关于近期DRAM需求的拐点、广度、可持续性以及2026年2月季度的季节性 [47] - 回答指出AI趋势强劲，需求向量正在拓宽，包括数据中心推理、AI智能手机和AI PC，结合供应紧张，预计2026日历年将保持健康的需求供应环境 [48][49][50][52] 问题: 关于2026财年资本支出的构成，设备与洁净室空间的分割，以及总资本支出 [53] - 回答指出2026年资本支出将主要用于DRAM，包括建设、设施、节点转换工具和新晶圆厂的初步安装，并提供了2025年总资本支出158亿美元和政府激励20亿美元的参考 [54][55] 问题: 关于库存水平、交货时间以及2026年供应紧张持续的信心 [58] - 回答预计库存天数将保持在第四季度水平或更好，DRAM将保持非常紧张，NAND库存天数也将下降，公司通过1-gamma爬坡和支持HBM的1-beta来管理供应 [59][60] 问题: 关于HBM4的性能提升、基逻辑芯片是否重新设计、功耗表现以及客户时间表 [61] - 回答强调了公司在DRAM芯片设计、先进CMOS技术和内部基芯片方面的优势，使其能够满足客户更高的要求，带宽超过28TB/s，引脚速度超过11Gbps，功耗表现优于竞争对手 [62][65] 问题: 关于2026日历年HBM的供应机会量化以及在需求超预期时增加供应的灵活性 [67] - 回答指出HBM3E的定价和体积协议已基本完成，HBM4的协议预计在未来几个月内完成，公司有能力通过前端晶圆的通用性来灵活管理HBM和非HBM的产品组合 [69][70][71] 问题: 关于HBM4和HBM4E中内部基芯片与台积电定制逻辑芯片的预期组合以及切换灵活性 [72] - 回答澄清HBM4使用内部基芯片，HBM4E将与台积电合作提供标准和定制产品，定制产品预计带来更高毛利率，HBM4E是2027年的产品 [73][74]