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Micron Technology(MU) - 2025 Q4 - Earnings Call Transcript
Micron TechnologyMicron Technology(US:MU)2025-09-24 07:02

财务数据和关键指标变化 - 第四季度毛利率超过2022财年中期水平 DRAM毛利率高于2022财年中期 营业利润率创2018年11月以来最高水平 [42] - 预计第二季度毛利率将环比上升 [44] - 利息收入预计转为正值 主要由于资本化利息增加 债务减少和现金余额增加 [80] 各条业务线数据和关键指标变化 - NAND业务位元出货量在第四季度下降 主要由于产品组合变化和细分市场波动 [6][8] - HBM业务在2025年第三季度将达到与DRAM供应份额相当的水平 2026年全年份额将高于2025年 [17] - 数据中心SSD市场份额连续多年创纪录 公司在该市场具有强劲竞争地位 [9] - DDR4业务占比为低个位数百分比 由于客户极度短缺 UL时间线有所延长 [39] - 退出管理型NAND业务 将更多供应转向数据中心市场 [11][85] 各个市场数据和关键指标变化 - 超大规模云服务商因HDD市场短缺 需要显著增加AI服务器部署的存储能力 [8] - 数据中心SSD部署将在2026年增加 NAND行业状况预计开始改善 [8] - AI服务器倾向于使用最高容量驱动器 从60TB向120TB和245TB发展 [57] - 数据中心细分市场现在占整体市场的一半以上 并继续以高于其他市场的速度增长 [65] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 资本支出从2025财年的138亿美元净额增加到2026财年约180亿美元净额 绝大部分用于DRAM建设和设备 [13] - 在爱达荷州建设首个晶圆厂 预计2027年下半年开始生产 [33][34] - HBM4产品具有最高性能 11Gbps引脚速度和28TB/s带宽 优于任何竞争产品 [25][78] - 退出移动NAND市场 专注于数据中心SSD等更高投资回报率的领域 [85][86] - 正在日本和台湾优化生产 利用可用洁净室空间 [35] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - DRAM市场已经紧张 预计2026年将进一步收紧 [40] - NAND行业正在改善并变得更加紧张 但DRAM已经紧张且未来会更加紧张 [9] - 行业供应增长受到多种因素限制 包括库存水平低 DDR4/LP4寿命延长限制技术转型 HBM硅强度快速增加 [44] - AI从根本上改变了行业格局 数据中心成为更大且更高价值的机会 [65] 其他重要信息 - 一伽马(1-gamma)DRAM技术在本季度达到成熟良率 并向超大规模云服务商发货 [47] - 一伽马和一贝塔(1-beta)生产占位元输出的重要多数 2026财年将向一伽马转移 [47] - HBM3E产品具有最高性能和比任何竞争对手低30%的功耗 [23] - HBM4成本高于HBM3 HBM4价格将显著高于HBM3E价格 [49] - 2025财年成本下降情况: DRAM(不含HBM)高于高个位数百分比 HBM为低个位数百分比 NAND为中十位数百分比 [53] 问答环节所有提问和回答 问题: NAND行业状况和位元增长前景 - NAND位元下降主要是产品组合噪音 超大规模云服务商因HDD短缺需要更多存储能力 预计2026年数据中心SSD部署增加将推动NAND行业改善 [8] - 供应方面继续减少NAND晶圆产出 放缓节点转换速度 保持低资本支出水平并降低库存 [10][11] 问题: 资本支出构成和增量支出方向 - 资本支出从138亿美元增加到约180亿美元 绝大部分用于DRAM建设和设备 [13] 问题: HBM市场份额目标和盈利能力 - 预计2026年HBM份额将高于2025年 目标是在2025年第三季度达到DRAM供应份额水平 [17] - HBM业务具有长期订单可见性 定价提前锁定 预期全周期投资回报率更高 但非HBM DRAM也可能在某些时候盈利能力超过HBM [19][20] 问题: HBM4份额预期和竞争地位 - HBM4起步位置更好 具有最高性能 预计将获得客户强烈偏好 竞争格局变化可能主要发生在两个竞争对手之间 [24][25][26] 问题: 资本支出中设备与设施拆分 - 不提供具体拆分 但绝大部分支出用于DRAM建设和设备 包括在爱达荷州建厂和技术转型 [28][29][32] 问题: DRAM收入构成和毛利率贡献 - DDR4占比为低个位数百分比 由于客户短缺延长了UL时间线 [39] - 不评论HBM和非HBM DRAM之间的相对毛利率 因业务模式不同 HBM定价提前设定而非HBM部分基于季度趋势变动 [40] 问题: 毛利率提升驱动因素和限制条件 - 市场条件持续改善 价格继续上涨 NAND业务可继续改善 DRAM非常紧张 供应增长受限因素包括低库存 DDR4/LP4寿命延长限制技术转型 HBM硅强度增加 [42][44] - 一伽马DRAM技术 ramp是2026年供应解决方案的重要组成部分 [48] 问题: 一伽马与一贝塔技术混合比例 - 一伽马和一贝塔占位元输出重要多数 2026财年将向一伽马转移 [47] 问题: HBM4利润率预期 - HBM4成本高于HBM3 价格将显著高于HBM3E 预期HBM业务多年保持良好投资回报率 [49] 问题: 成本下降曲线和NAND高容量驱动器趋势 - 2025财年成本下降: DRAM(不含HBM)高于高个位数 HBM低个位数 NAND中十位数百分比 [53] - 平均容量将继续快速提升 预计高容量驱动器将有显著采用 超大规模云服务商HDD存储短缺将推动更多NAND使用 [55] 问题: HBM3E效率提升和毛利率结构变化 - HBM3E 12层堆叠良率提升速度快于8层堆叠 主要效益已在过去几个季度实现 [62] - 数据中心细分市场现在占销售额 mid-50% 相比过去峰值 around三分之一 结构性转变使整体组合盈利能力提高 [64][65] 问题: 2026财年成本下降目标和GDDR7对HBM市场影响 - 仅提供了2025财年成本下降数据 [70] - AI市场将多样化 需要优化架构 推理工作负载往往是内存密集型 将需要不同架构来增加内存容量和带宽 [72][73] 问题: HBM4规格提升原因和利息收入预期 - 客户寻求提高终端客户投资回报率 需要更高带宽来增加token数量或减少首次token时间 [78] - 预计利息将转为收入 因资本化利息增加 债务减少和现金余额增加 [80] 问题: 长期协议讨论和退出管理型NAND的影响 - 对长期协议持谨慎态度 考虑美国制造、关税变化和行业向数据中心转移等因素 [83][84] - 退出管理型NAND是基于投资回报率考虑 将资源集中在更高盈利领域 [85][86] - 客户对退出不满意 但DRAM业务对客户更为关键 公司继续在DRAM方面保持强劲供应关系 [89]