全球存储芯片市场 -9 月存储芯片追踪报告:现货价格表现强劲,预示后续合约价格向好
Micron TechnologyMicron Technology(US:MU)2025-10-09 10:00

这份文档是伯恩斯坦(Bernstein)关于全球存储器的月度价格追踪报告,主要分析了2025年9月的DRAM和NAND闪存市场动态。以下是关键要点的详细总结。 涉及的行业与公司 * 行业: 全球存储器行业,特别是DRAM和NAND闪存市场 [1] * 涉及公司: 三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK hynix)、美光(Micron)、铠侠(KIOXIA) [10][11][12][13][14] 核心观点与论据 DRAM市场分析 * 9月合约价: DRAM 9月合约价环比基本持平,主要因多数合约已于7月和8月敲定 [3][4][17][19] * 第三季度合约价: 9月签订的合约显示,第三季度传统DRAM合约价预计环比上涨24%,其中PC DRAM约20%,服务器DRAM约9%,移动DRAM约27%,消费类DRAM约90% [4][19][25] * 现货价格: 9月DRAM现货价格大幅上涨,PC DDR4芯片现货价环比上涨31%,DDR5现货价环比上涨28%,服务器DDR4和DDR5现货价分别环比上涨19%和17% [3][19] * 价格展望: 受云服务提供商强劲的2026年需求预测(美国CSP普遍预测2026年需求增长25%以上)以及供应商提价影响,TrendForce预计第四季度DRAM合约价将环比上涨5-10%,高于此前预期 [4][19][21] * 需求驱动: 人工智能项目推动服务器需求,特别是HBM产能紧张挤压传统DRAM供应,OEM和模组厂因担心明年短缺而开始增加库存 [4][7][19][21] * 细分市场: * 移动DRAM: LPDDR4因供应商减产而供应紧张,第三季度合约价预计环比暴涨43%,LPDDR5预计上涨近15% [19][21] * 服务器DRAM: 供应商要求第四季度涨价15-20%,但TrendForce预计最终服务器DDR5价格环比增长5-10% [19][21] * 消费类DRAM: 第三季度价格环比上涨约90%,预计第四季度将继续环比上涨10-18% [4][19][21] NAND市场分析 * 9月合约价: NAND晶圆合约价在9月环比温和上涨2-3% [4][6][24] * 现货价格: NAND晶圆现货价格在9月环比显著上涨9-11%,主要受硬盘短缺消息和强劲的企业级固态硬盘需求推动 [5][6][24] * 价格展望: 市场情绪转好,模组厂开始囤货,预计第四季度合约价将有更大幅度的上涨 [6][7][24] * 需求驱动: 硬盘短缺导致企业级固态硬盘需求突然激增,供应商如SanDisk要求对所有客户提价10% [6][24] * 细分市场: 主要用于移动设备的eMMC/UFS第三季度合约价预计环比下降1.5%,但强劲的企业级固态硬盘需求可能使混合平均售价表现优于预期 [6][24] 投资建议与公司观点 * 三星电子: 评级为跑赢大市,目标价95,000韩元 [10][11] * SK海力士: 评级为跑赢大市,目标价400,000韩元 [10][12] * 美光: 评级为跑赢大市,目标价170.00美元 [10][13] * 铠侠: 评级为跑输大市,目标价3,500日元 [10][14] * 总体看法: 市场环境在9月明显转向对供应商有利,但主要影响将体现在第四季度合约价上,对DRAM明年定价持乐观态度,但对NAND涨势的持续性持怀疑态度 [7][24] 其他重要内容 * 方法论: 行业平均售价是基于不同应用领域的加权平均计算得出,DRAM权重为移动37%、服务器39%、PC10%、消费类15%,并针对DDR5和LPDDR5的渗透率进行调整,NAND权重为eMMC/UFS 40%和晶圆60% [23] * 风险提示: 主要下行风险包括 favourable pricing environment 提前结束、需求弱于预期、供应增加、投资者情绪转变以及中国在存储器领域的进展 [107][108][109] * 数据来源: 报告价格数据主要来源于TrendForce/DRAMeXchange和WSTS [2][17]