涉及的行业与公司 * 行业为全球存储技术行业 具体包括DRAM和NAND闪存市场[1] * 核心涉及的公司包括SK海力士 三星电子 美光科技 铠侠 南亚科技等存储芯片制造商[1][3][126] * 关键客户与驱动因素包括英伟达 美国大型科技公司 主权AI以及超大规模云服务商的债务融资[1][7] 核心观点与论据 行业前景与风险 * 投资者反馈好坏参半 买方分析师普遍看好存储 但经验丰富的投资组合经理担忧周期性下行风险[1] * 识别出五大风险：DRAM现货价格异常高企 看涨共识 2026年资本支出大幅增加 部分超大规模云服务商的债务融资 以及存储股市值或市净率处于历史高位[1] * 尽管存在风险 仍预计2026-2027年盈利将创历史新高 主要贡献因素包括：合约价格仍低于10美元 即使现货价格下跌50%以上仍有近50%上涨空间 HBM订单强劲 利润率高 且因英伟达 美国大型科技公司和主权AI需求 预计价格下调有限 更多OEM希望锁定2026年甚至2027-2028年的芯片供应 即使价格比2025年第四季度水平高出30-50%以上 主要存储芯片制造商的晶圆产能仅有个位数百分比增长 中国资本支出高但实际DRAM/NAND产量仍很小 大量资本支出将用于基础设施或现有工厂升级而非新增产能[1] * 预计盈利不及预期的情况不会太严重 除非共识预期极高[1] 现货市场价格动态 * DRAM现货价格本周仍上涨约5% 尽管较一个月前已上涨超过100%[2] * NAND现货价格涨幅更为显著 1Tb/512Gb/256Gb产品上涨15%以上 原因包括铠侠在第三季度大幅清理库存 以及韩国芯片制造商在新节点迁移上进展缓慢[2] * 渠道检查显示 由于OEM补库存承诺高而供应紧张 未来两到三周DRAM和NAND现货价格仍有10%以上的上涨空间[2] * 当前主流DRAM产品16Gb DDR5和16Gb DDR4价格分别达到25美元和37美元 创下25年来新高 远超2017年10月约10美元的高点[6][20] * 8Gb DDR4现货价格年内至今上涨超过750% 达到13美元 超过2017年10月10美元的前高[29][30] * NAND闪存512Gb晶圆现货价格在10月和11月分别上涨约50%和45%[40] 合约价格与现货溢价 * 合约价格预计将追赶现货价格上涨 16Gb DDR5合约价格在2025年第四季度预计环比上涨65% 16Gb DDR4合约价格预计环比上涨40%[57][58] * 当前现货价格较合约价格存在超过100%的溢价 远高于历史平均15%的水平[77] * 2025年6月首次出现DDR4合约价格超越DDR5的情况 当前16Gb DDR4合约价格约为16美元 是16Gb DDR5合约价格9.6美元的1.7倍[63] 特定公司分析 * SK海力士仍是首选 关键催化剂包括超过50%的HBM市场份额 1c节点升级 高利润率以及即使在超过30万亿韩元的资本支出后仍能产生自由现金流[3] * 目标价80万韩元基于2026年预期市净率3.6倍 对应2026年预期市盈率12倍 但担忧部分卖方分析师对2026年上半年平均售价和营业利润的极端乐观假设[3] * 预计SK海力士HBM销售额在2025年增长118%至210亿美元 2026年增长40%至290亿美元 营业利润率稳定在60%以上[15] 市场需求与宏观驱动 * 英伟达截至10月底的季度业绩强劲 总收入570亿美元 同比增长62% 数据中心收入510亿美元 同比增长66% 对1月底季度的总销售指引表明同比增长65%至650亿美元[7] * 英伟达GPU的HBM内容量呈现增长趋势 Blackwell Ultra相比Blackwell增长50%[9] * 中国10月存储芯片进口额98亿美元 同比增长30%[98] 其他重要内容 * 10月和11月初存储类股票表现强劲 主要受OpenAI宣布与海力士 三星合作供应DRAM/HBM用于其5000亿美元Stargate项目 HBM4乐观情绪 AI基础设施支出 现货价格复苏以及三星12层HBM3e认证等因素推动 本周因对AI泡沫和获利了结的担忧出现小幅回调[126][128] * 全球科技股同样在9月 10月和11月初上涨 受AI增长主题推动 本周因AI泡沫不确定性而下跌[130]