SiC衬底材料技术与应用 - SiC衬底材料具有耐高压、高频、高效特性，广泛应用于新能源汽车、智能电网、5G通信等行业，并在AR设备、CoWoS先进封装中间基板等新兴领域成为关键技术材料 [2] - 公司已实现6-8英寸碳化硅衬底规模化量产与销售，核心参数达行业一流水平，8英寸技术规模处于国内前列，并成功获取部分国际客户批量订单 [5] 12英寸SiC衬底技术突破 - 公司首条12英寸碳化硅衬底加工中试线于2025年9月26日正式通线，实现从晶体生长到检测环节全线设备100%国产化 [2] - 中试线覆盖晶体加工、切割、减薄、倒角、研磨、抛光、清洗、检测全流程工艺，核心设备由公司自研攻关完成，性能达行业领先水平 [3] - 该技术突破标志着公司正式形成12英寸SiC衬底从装备到材料的完整闭环，解决关键装备"卡脖子"风险 [3] 产能布局与项目规划 - 在上虞布局年产30万片碳化硅衬底项目 [4] - 在马来西亚槟城投建8英寸碳化硅衬底产业化项目 [4] - 在银川投建年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目 [4] 半导体装备业务进展 - 12英寸常压硅外延设备交付国内头部客户，关键指标达国际先进水平 [6] - 成功开发应用于先进封装的超快紫外激光开槽设备，填补国内高端紫外激光开槽技术空白 [7] - 加强8英寸碳化硅外延设备及6-8英寸碳化硅减薄设备市场推广，积极推进碳化硅氧化炉、激活炉及离子注入等设备客户验证 [7] 新能源光伏装备创新 - 持续完善金属腔、管式、板式三大平台设备体系，针对TOPCon提效及BC创新推进EPD、LPCVD、PECVD、PVD及ALD等设备市场推广 [7] - EPD设备保持行业领先技术优势，ALD设备验证良好 [7]