行业与公司 * 涉及的行业为半导体存储行业，具体包括DRAM、NAND Flash（特别是MLC NAND）、NOR Flash以及HBM等细分市场[1] * 涉及的公司包括全球存储芯片制造商（三星、海力士、美光、台湾旺宏、华邦电、中国兆易创新、Powerchip）、美国云服务提供商（CSP）、AI公司（Deepseek、NVIDIA）以及中国国内制造商（CXMT、YMTC）[1][2][4][5][6][7][8][10][11][12][13] 核心观点与论据：AI驱动存储需求结构性上升 * AI推理成为存储需求新引擎：AI推理需求的增长使存储成为决定AI推理能否持续大规模增长及实现上下文Agent应用的关键因素之一[2] * KV Cache成为核心约束：随着上下文长度、并发用户数和推理深度上升，KV Cache对DRAM和HBM的需求呈线性扩张[2] * AGI系统提高记忆依赖度：新一代AI需要上下文理解、规划、长期记忆和持续学习能力，对服务器DRAM和企业级SSD提出数量级更高的要求[2] * 多模态及长文本推理放大需求：多模态及长文本推理应用放大了整体存储需求[1][2] * 需求测算显示巨大缺口：仅文本推理部分，当AI用户周活跃度达到2.4亿时，将消耗掉2026年全球DRAM供应的大约35%以及NAND供应的大约90%[1][3] * 结论：这是一个超级周期，整体Memory需求将结构性上升[1][3] 核心观点与论据：架构创新与行业竞争 * Deepseek Ingress架构优化系统设计：通过Conditional Memory架构将记忆与推理从硬件和系统层面拆分，嵌入可查询表格调用常用静态知识，使GPU专注于推理，提高HBM系统表现，减少KV Cache存储低价值tokens[1][4] * 创新提升模型表现：该创新在不增加算力情况下显著提升模型表现，但不会降低Memory使用量[4] * 中国AI竞争力路径转变：这展现了中国AI从硬件数量转向系统设计能力的竞争优势，中国有望走出一条与美国不同且具有全球竞争力的发展路径[1][4] 核心观点与论据：存储市场价格预期 * 2026年Q1价格涨幅预期：预计DRAM价格环比增长50%至60%，NAND价格涨幅区间为50%至80%[1][5] * 2026年Q2价格涨幅预期：市场共识为15%至20%的涨价预期，二季度仍可能拥有较大涨价话语权[1][5] * DDR4价格走势：2026年Q1各大客户普遍接受至少30%的涨幅，第三方预计Q3涨幅将超过50%[2][9] * MLC NAND价格预期：因供应短缺，预计价格将大幅上涨400%[2][10] * NOR Flash价格预期：2026年上半年价格平均上涨20-30%，第二季度预计继续保持这一涨幅，下半年因需求推动预计继续上涨[11] 核心观点与论据：市场供需与产业链动态 * 整体供需状况变化：内存市场供需在过去一年显著变化，从2025年Q2到2026年1月，供给下降速度明显快于需求[2][8] * DDR4需求结构性存在：尽管DDR4需求总体下滑，但交换机等设备仍大量使用，且NVIDIA积极确保DDR4产能，对价格不敏感[2][8] * MLC NAND供应短缺：三星和美光减少产能导致全球MLC NAND产能骤减60%，目前仅台湾旺宏有意愿增加产能，但最多只能补充5-10%的缺口[2][10] * 美国CSP行为影响：美国CSP签订长期合约确保未来CPU供货每年双位数增长，这间接推动主流服务器DRAM需求强劲，同时挤压DDR4、低阶NAND及NOR Flash等old memory市场[1][6][7] * Powerchip与美光合作影响：交易使Powerchip获得现金、授权与合作机会，美光则获得快速扩展DDR5产能的机会，并可能需要上调资本支出[12] * 终端产品影响：内存成本上升将影响终端，预计2026年PC出货量同比下降约10%，中国安卓手机出货量下降8-10%[13] * 投资建议：因美国CSP行为趋势，调升了Greater China所有memory股票目标价[1][7] 其他重要信息 * 行业事件关注点：三星电子与海力士的业绩预报将是重要关注点，包括新建产能规划及2026年下半年乃至2027年的需求指引[5][6] * 中国国内制造商角色：中国国内制造商如CXMT和YMTC是否能够稳定新制程并扩大生产，是未来关注重点[13] * NOR Flash技术升级：美国一家大型公司计划在2027年将NOR Flash密度翻倍，因此需要提前确保产能[11] * 企业采购策略：2026年Q1因备货需求强劲及预期Q2价格继续上涨，一些企业会提前采购以降低成本[13]