全球存储市场模型更新：存储行业正走向多年上行周期 涉及行业与公司 * 行业：全球存储半导体行业，包括DRAM和NAND闪存市场 [1] * 公司：报告覆盖了主要的存储制造商，包括三星电子(SEC)、SK海力士(SKH)、美光(MU)、铠侠(Kioxia)、西部数据(WD)、南亚科技(Nanya)、华邦电子(Winbond)等 [6][10][66] * 供应链公司：报告亦提及存储供应链相关公司，如东京电子(TEL，DRAM设备受益者)、慧荣科技(SIMO，NAND控制器供应商) [6] 核心观点与论据 市场前景与预测 * 大幅上调市场总规模(TAM)预测：基于2025年第四季度业绩和近期行业动态，将2026-2027财年存储市场总规模预测上调42%-48%（相较于2025年12月发布的预测），并引入2028年预测，基本情景是存储市场在走向平衡的过程中短缺将持续 [4] * 存储市场总规模将达6160亿美元：预计存储市场总规模将在2027年达到约6160亿美元，使用3.6倍市销率(P/S)计算，未来一年内市值有约50%的上涨空间 [4] * AI驱动的需求浪潮将持续：预计云服务提供商(CSP)驱动的存储需求浪潮将持续至2028年，B2B和B2C的定价趋势将从2026年末开始分化 [4] * NAND构成最大上行风险：在DRAM和NAND之间，预计NAND将呈现比DRAM更快的增长率（AI NAND TAM：2024-2027年复合年增长率108% vs AI DRAM：91%），且NAND对存储市场总规模预测构成未来12个月内最大的上行风险 [4] AI在存储中的角色 * AI价值份额快速提升：AI已成为存储行业不可或缺的一部分，预计AI价值份额（主要是DRAM中的HBM、SOCAMM、RDIMM和NAND中的eSSD）将从2025年的30%中期升至2027年的约45% [4] * AI内存收入主要来自服务器：约70-80%的AI内存收入来自服务器客户（其余20-30%与边缘AI相关） [4] * HBM供需持续紧张：由于ASIC（尤其是TPU）数量的大幅增加以及单机搭载量（TPU和Rubin Ultra）的增长，本已紧张的HBM供需关系将进一步承压，预计HBM供需将保持紧张直至2027年，短缺幅度将从2026年进入双位数百分比(DD%) [4][5] * HBM价格分化：预计HBM4价格将远高于2美元/Gb（JPMe预测：约2.2美元/Gb），但12纳米HBM3E价格将下降，尽管幅度可能较为温和，综合来看，预计2026年HBM平均售价将同比上涨7% [5] 资本支出与供应动态 * 2026年资本支出显著增加但保持纪律性：存储制造商一致表示将在2026年大幅增加资本支出以解决供应瓶颈，但投资者正逐渐将资本支出增加视为解决瓶颈的必要措施，并对存储行业盈利有利 [6] * 资本支出强度低于历史平均：预计2026年DRAM/NAND资本支出将同比增长31%/10%，2026年DRAM/NAND资本强度分别为22%/12%，远低于各自10年平均水平的32%/44% [6] * 供应增长有限：从资本支出分配角度看，顶级存储制造商优先考虑DRAM而非NAND，这意味着除了技术迁移外，NAND的供应增加有限 [4] 估值方法论思考 * P/B vs P/E：由于盈利和需求能见度提高、存储盈利不太可能转为亏损，以及存储估值已突破历史P/B区间并交易于3倍以上远期P/B，有投资者质疑估值方法是否应转向P/E [6] * 当前阶段适用估值溢价：报告认为，在当前阶段，对历史P/B交易倍数应用估值溢价是更公平的方法，并等待更多关于价格持久性的证据（例如多年的CSP订单合同） [6] 投资建议与风险 * 看多存储行业：在AI硬件和基础设施供应链中，存储股是过去6个月表现最佳的板块之一（存储指数：+187%，DRAM指数：+180%，NAND指数：+907%，费城半导体指数：+45%），报告对存储行业持建设性看法，并重申对覆盖的亚洲股票的看多观点 [6] * 推荐标的：超配三星电子(SEC)、SK海力士(SKH)、铠侠(Kioxia)、华邦电子(Winbond)和美光(MU) [6] * 主要下行风险：1) AI模型货币化担忧导致的AI资本支出放缓（JPMe预测：前四大CSP资本支出在2026年将增长50%以上）；2) 降低每个大语言模型内存消耗强度的AI算法突破（例如DeepSeek类型的事件）；3) 成本担忧导致B2C产品销售不及预期；4) 中国存储供应商的大量供应增加。在需求和供应风险因素之间，对资本支出纪律带来的供应增加担忧较少，但谨慎认为需求侧因素对存储行业构成更高风险 [6] 其他重要数据与细节 具体财务预测数据 * 市场总规模：2026E：5156亿美元，2027E：6163亿美元，2028E：7828亿美元 [53] * DRAM收入：2026E：3520亿美元，2027E：4317亿美元，2028E：5599亿美元 [53] * NAND收入：2026E：1636亿美元，2027E：1846亿美元，2028E：2229亿美元 [53] * HBM收入：2026E：548亿美元，2027E：853亿美元，2028E：1374亿美元 [53] * 价格预测：2026年DRAM平均售价同比上涨106%，NAND平均售价同比上涨83% [53] * 资本支出：2026年存储总资本支出预计为968.8亿美元，其中DRAM为774.5亿美元，NAND为194.4亿美元 [53] 终端应用成本占比 * DRAM+NAND占终端应用售价百分比峰值（2026-2027E）：手机：16.4%，笔记本：24.8%，服务器（含HBM）：43.6% [124] * HBM占GPU芯片售价百分比：Blackwell (B200) - 2025：32%，Rubin - 2026：10%，Rubin Ultra - 2027或2028：12% [131][132] 市场份额与结构 * HBM市场销售份额（2026E预测）：SK海力士：49%，三星：33%，美光：18% [103] * DRAM位元需求结构（2026E预测）：服务器：50%，手机：28%，笔记本（含升级）：19%，其他：13% [151] * HBM客户结构（2026E预测，SK海力士）：英伟达：73%，AMD：25%，ASIC/其他（含中国）：2% [110][111]