磷化铟(InP)衬底行业研究纪要关键要点 一、 行业与公司概况 * 行业：磷化铟(InP)衬底行业，主要受CPO（共封装光学）等需求驱动[1] * 市场销量与集中度：2025年磷化铟衬底市场销量预计约70万片[1][5] 市场高度集中，日本住友、日本日矿和美国AXT三家合计占据90%以上市场份额[1][5] * 主要公司出货量：日本住友月度出货量约3万片[1][5] 日本日矿月度出货量约1万片[1][5] 美国AXT（北京通美晶体）月度销量约25,000片[1][5] 国内其他供应商（云南锗业、珠海鼎泰、广东先导、中锗科技等）月度出货量多在2000-3,000片左右[1][5][30] 二、 产品与价格动态 * 主流尺寸与价格：当前主流尺寸为2寸、3寸、4寸，价格分别为400-500元、1,500元、5,000元[1][6] 6寸价格约15,000元[6][13] * 价格变化趋势：2020-2024年价格每年降幅约10%[1][6] 2025-2026年受需求爆发影响，出口价格小幅上涨20%-30%[1][6] 国内市场此前每年约10%的跌幅停止，价格未明显上涨[1][6] * 尺寸演进趋势：国外4寸已实现大批量商用[3][11] 国内以3寸、4寸为主，且3寸出货量仍大于4寸，正积极向4寸切换[3][11] 2寸产品市场占比约20%，正快速萎缩，预计2026年价格可能下探至300元以下[11] 6英寸良率整体较低，小于10%[3][11] * 成本与良率：6英寸衬底可降低单颗芯片成本约20%-30%[3][12] 国内多家厂商（云南锗业、鼎泰、先导等）良率约30%，通美良率约40%–45%，住友良率水平与通美大体接近[21] 原材料成本占生产成本约50%–60%以上[21] 三、 产能扩张与瓶颈 * 扩产规划：各厂商积极扩产[1] AXT计划2026年新增200台4寸和50台6寸单晶炉[1][7] 云南锗业计划新增100台4寸设备[1][7] 广东先导扩产最为激进，计划新增200台4寸和100台6寸设备[1][7] 中锗科技2026年计划新增70台单晶炉[7] * 产能瓶颈：外延环节扩产速度慢于衬底环节[1] MOCVD设备交货周期长达10个月，成为扩产瓶颈[1][10][16][27] 衬底端扩产形成产能约需6-8个月[10] * 供需缺口：当前市场需求体量约200万片，缺口较大[10] 短缺预计可能延续至2027年[3][10][27] 行业整体基本没有库存，自身库存水平约够1个月[26] 四、 供应链与原材料 * 多晶原料格局：磷化铟多晶原料主要由英国IQE旗下WaveTech和国产北京明家供应[1][8] 住友、日矿、AXT均使用IQE/WaveTech的多晶料[1][8] 广东先导具备多晶材料自合成能力[1][2][8] * 高纯铟价格：高纯铟价格已上升至约4,000–4,300元/公斤，相比一年前约2,400–2,500元/公斤，涨幅显著，接近翻倍[2][19] 但对衬底环节影响有限[2] * 红磷供应：红磷主要供应商包括日本Rasa与日本亚马纳卡[9] 2025年两家销量均增加约50%–60%，但价格未出现明显波动[9] * 铟耗量：一片4英寸衬底的铟含量约28克（未考虑损耗与良率）[29] 五、 技术工艺与路线 * 关键工艺环节：磷化铟衬底制造可拆分为晶体生长与衬底加工两个环节[3] 行业核心技术差异集中在晶体生长端[4] * 主流生长工艺：包括液封直拉法（LEC）、垂直梯度凝固法（VGF）与垂直布里奇曼法（VB）[4] LEC因缺陷密度高，当前基本很少有商业化机构采用[4] VGF与VB晶体缺陷密度相对更低、质量更高[4] VB设备造价显著更高，单台售价约50万–60万元，电学性能均匀性优于VGF[4] VGF设备单台造价较低，约十几万元、20万元不到[4] 目前海外与国内多家主流供应商以VGF为主，VB工艺据了解主要由日本住友采用[4] * 6英寸技术壁垒：核心难点在于晶体生长过程中的温度控制和材料易出现孪晶、夹晶缺陷[3][11][15] 良率提升关键在工艺而非设备，工艺迭代速度偏慢[18] 六、 下游应用与替代 * 芯片切割数量：3寸衬底切割EML芯片可切出约1,800-2000颗，切割CW芯片可切出约12,000颗[3][10] 4寸衬底切割CW芯片可切出约18,000颗[3][10] 4英寸衬底切100G/200G的EML可切约1,500–2000颗[22][23] * 下游替代策略：部分下游客户开始转向CW芯片以缓解EML芯片的供应紧张[3][10] * 应用领域与尺寸：2英寸主要用于2.5G的FP/DFB芯片及部分10G低速率芯片[27] 3英寸、4英寸、6英寸主要面向25G、50G、100G等器件，以25G、50G的EML芯片为主要应用[27] 4英寸成为主流后，主要用于100G、200G的EML芯片[27] 除光芯片外，衬底也用于PD、APD等光接收芯片[27] 另有占比约10%–20%的半绝缘磷化铟衬底，主要用于射频芯片等分立器件[28] * 技术路线替代：通信领域核心仍以磷化铟体系为主[22] 硅光并未改变磷化铟作为光源材料的事实[22][23] 七、 进出口与政策环境 * 国内出口管制：出口需取得商务部出口许可[3][20] 目前仅北京通美晶体有限公司（AXT全资子公司）获得许可[3][20] 2026年出口限制较2025年更严[31] * 出口价格差异：出口端涨价的核心原因在于国内出口管制与许可约束叠加海外供需偏紧[3][20] 国内价格未上涨因国内供应商增多、竞争加剧及扩产积极[1][6][20] * 政策展望：2026年预计会进一步放宽一部分出口份额，但不确定性仍较高[3][32] 通美的许可审批周期为8个月[20][32] 八、 设备与产业链配套 * 设备交付周期：磷化铟单晶炉交期较短，约2个月[16] 抛光设备交期约3–4个月[16] 外延环节MOCVD机台交付周期最长，约10个月[10][16][27] * 设备国产化：单晶炉设备基本以国产为主[24] 抛光设备、清洗设备目前也以国内设备为主[24] * 6英寸进展：下游对6英寸的接受度不高[13] 海外目前仅有一家科华（Coherent）新建了6英寸产线[13][18][25] 国内尚无客户验证6英寸[25] 国内具备6英寸生产能力的主要为北京通美晶体，但仅为小批量生产[16]