业绩影响因素 - 公司业绩受半导体行业下行周期性影响以及研发投入增加所致 [2] 研发投入情况 - 截止三季度研发费用投入总计达2768万元，相比去年同期增长70.26%，研发投入占前三季度内营业收入的16.95%，相比去年同期增加7.68个百分点，增长系加大功率IC和SiC MOSFET等新品研发投入 [3] 技术储备与竞争力 - 在超高压平面MOSFET、高压超结MOSFET、SiC MOSFET等方面取得深厚技术积累，超高压平面MOSFET最高耐压已达1700V，具备650V - 1700V SiC MOSFET设计能力，可满足客户多维度及多样化产品需求 [3] - 在超高压平面MOSFET方面具备较强技术水平及市场竞争力，最高耐压达1700V [3] 订单与产能情况 - 公司在手订单正常 [3] - 公司采用Fabless经营模式，专注设计、研发和销售环节，将晶圆制造和封测环节委外，有完善外协供应商管理体系 [3] 产品应用与研发规划 - 公司具备650V - 1700V SiC MOSFET设计能力，产品覆盖业内主流电压段，可用于新能源汽车领域 [3] - 公司专注功率半导体设计、研发，未来将促进第三代半导体功率器件产品量产落地与技术升级 [4]