投资者关系活动基本信息 - 活动类别为特定对象调研 [1] - 参与单位及人员为海通证券朱劲松、兴业证券杨尚东 [1] - 时间为2019年9月10日上午12:00 - 13:00 [1] - 地点在公司控股子公司聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司厂区 [1] - 上市公司接待人员有聚能晶源董事总经理袁理、董事会秘书副总经理张阿斌、财务总监蔡猛、证券事务代表刘波 [1] 项目投资情况 - 聚能晶源第三代半导体材料制造项目一期投资5200万元，二期投资1.48亿元，二期及后续投资取决于市场和公司战略 [2] 项目产能与产值情况 - 聚能晶源GaN外延材料项目一期设计总产能1万片/年，满产年产值约1亿元，产能爬坡时间不确定 [2] 固定资产折旧情况 - 聚能晶源固定资产在设备安装完成后计提折旧，大部分设备10月开始，年限10年 [2] 产品应用场景与关注领域 - 聚能晶源氮化镓外延材料面向新一代功率与微波器件应用，场景包括消费电子、云计算/基站、激光雷达和5G通讯，受关注领域为电源管理及通讯基站 [3] 产品技术壁垒情况 - 8英寸硅基GaN外延材料应力控制难度是6英寸晶圆两倍，全球最领先水平是8英寸硅基GaN外延技术 [3] 产品竞争情况 - 氮化镓材料领域国际知名厂商有日本NTT - AT、日本Dowa、法国Soitec、英国IQE等，国内市场初步发展，光电领域有成熟厂商，功率与微波领域多家厂商竞争 [4] 5G场景需求情况 - 5G场景中基站射频功放与电源、手机等终端电源需GaN器件，可采用硅基或碳化硅基氮化镓外延晶圆制造，预计2023年仅基站用GaN射频器件市场规模达5亿美元 [4] 技术工艺发展趋势 - 功率应用方面，硅基氮化镓一段时间内保持主流；微波应用方面，现有主流是碳化硅基氮化镓技术，有发展微波用硅基氮化镓材料与器件以降成本的需求 [4]