项目投资与产能 - 聚能晶源第三代半导体材料制造项目一期投资5200万元，二期投资1.48亿元，二期及后续投资取决于市场和公司战略规划 [2] - GaN外延材料项目一期设计总产能1万片/年，满产年产值约1亿元，产能爬坡时间待定 [2] 固定资产折旧 - 聚能晶源固定资产在设备安装完成后计提折旧，大部分设备10月开始，年限10年 [2] 产品应用场景 - 氮化镓外延材料面向新一代功率与微波器件，应用于消费电子、云计算/基站、激光雷达和5G通讯，最受关注领域为电源管理及通讯基站 [3] 技术壁垒与水平 - 8英寸硅基GaN外延材料应力控制难度是6英寸晶圆两倍，全球最领先水平为8英寸硅基GaN外延技术 [3] 市场竞争情况 - 氮化镓材料领域国际知名厂商有日本NTT - AT、日本Dowa、法国Soitec、英国IQE等；国内市场初步发展，光电领域有成熟厂商，功率与微波领域多家厂商竞争 [4] 5G场景需求 - 5G场景中，基站射频功放与电源、手机等终端电源需GaN器件，可采用硅基或碳化硅基氮化镓外延晶圆制造，预计2023年仅基站用GaN射频器件市场规模达5亿美元 [4] 技术工艺发展趋势 - 功率应用方面，硅基氮化镓一段时间内保持主流；微波应用方面，现有主流为碳化硅基氮化镓，存在发展微波用硅基氮化镓以降成本的需求 [4]