合肥晶合集成电路申请一种半导体结构的制作方法专利,提升开关速度
文章核心观点 合肥晶合集成电路股份有限公司申请“一种半导体结构的制作方法”专利,该方法可节省制程工艺、增大耗尽区和击穿电压、减小栅漏电容、降低开关损耗并提升开关速度 [1] 公司概况 - 公司成立于2015年,位于合肥市,从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 企业注册资本200613.5157万人民币,实缴资本152959.1001万人民币 [2] - 公司共对外投资7家企业,参与招投标项目620次 [2] - 公司有商标信息41条,专利信息1068条,拥有行政许可16个 [2] 专利情况 - 公司于2025年2月申请“一种半导体结构的制作方法”专利,公开号CN 119698018 A [1] - 该专利应用于半导体技术领域,可节省一道离子注入制程工艺 [1] - 该专利能增大耗尽区和击穿电压,减小控制栅和漏极之间的交叠面积 [1] - 该专利可减小功率半导体器件的栅漏电容、降低开关损耗、提升开关速度 [1]