荷兰ASML EUV光刻机样图（来源：ASML官网） 中国芯片极紫外（EUV）光刻光源技术获得重大突破，使用固体光源突破被美国"卡脖子"的局面。 4月29日消息，据环球时报旗下账号"哇喔·环球新科技"、观察者网等报道，中国科学院上海光学精密机 械研究所（简称中国科学院上海光机所）林楠研究员带领团队，绕过二氧化碳激光，使用固体激光器技 术成功开发出LPP-EUV光源，已经达到国际领先水平，对中国自主开展EUV光刻有重要意义。 上述报道称，该技术有望突破中国自主生产芯片的阻碍。 据悉，EUV光刻机中最核心的分系统是激光等离子体（LPP）EUV光源，主要关注能量转换效率 （CE）。二氧化碳激光器激发的Sn等离子体 CE大于5%，是ASML光刻机的驱动光源，但此前这类光源 由美国Cymer制造，在世界范围内处于垄断地位。 因此，林楠团队考虑使用固体脉冲激光器代替二氧化碳激光作为驱动光源，但能量效率需要进一步提 升。目前林楠团队1um固体激光的CE最高可达到3.42%，超过了荷兰和瑞士研究团队的水平，虽然没有 超过4%，但已经达到了商用光源5.5%转化效率的一半。 林楠团队研究人员估计，光源实验平台的理论最大转换效率可 ...