中国EUV光刻光源技术突破 - 中国科学院上海光机所林楠团队成功开发出LPP-EUV光源，使用固体激光器技术绕过二氧化碳激光，达到国际领先水平，对中国自主开展EUV光刻有重要意义 [2] - 该技术有望突破中国自主生产芯片的阻碍，EUV光刻机中最核心的分系统是激光等离子体（LPP）EUV光源，主要关注能量转换效率（CE） [2] - 林楠团队1um固体激光的CE最高可达到3.42%，超过了荷兰和瑞士研究团队的水平，达到商用光源5.5%转化效率的一半 [4] - 光源实验平台的理论最大转换效率可能接近6%，团队正计划增加进一步的研究 [4] EUV光刻技术背景 - EUV指的是波长13.5nm的极紫外光，比当前主流光刻机用的193nm光源小十五分之一，能在硅片上刻下更小的沟道 [5] - 荷兰ASML是目前世界上唯一使用EUV的光刻机制造商，保持100%的市场份额 [5] - ASML的NXE:3400C和NXE:3400D支持7纳米和5纳米节点的EUV量产，后者的生产效率相比前者提高了15%至20% [5] - 由于美国商务部对华实施出口管制，ASML等芯片公司自2019年以来被禁止向中国出售其最先进EUV光刻型号 [5] 林楠团队研究成果 - 林楠团队提出了一种基于空间束缚激光锡等离子体的宽带极紫外光高效产生方案，获得了高达52.5%的转换效率，是极紫外波段最高转换效率 [9] - 固体脉冲激光器近十年来取得快速发展，目前已达到千瓦级的功率输出，未来有望达到10倍以上 [9] - 结果显示，当激光峰值功率密度逐渐升高时，实现了高达3.42%的CE，处于国际靠前水平 [10] - 相关研究为固体激光驱动等离子体EUV光刻光源及量测光源的国产化研发提供了技术支撑 [10] ASML市场表现 - 2024年ASML实现净销售额282.63亿欧元，同比增长2.55%，创下历史新高 [10] - 净利润为75.71亿欧元，较2023年降低了3.4% [10] - 中国成为ASML第一大市场，销售额达到101.95亿欧元，占其全球总营收的36.1% [10] - ASML首席财务官预计2025年中国区销售额占总收入比重将略高于25% [13] 行业竞争格局 - ASML总裁认为由于美国禁止出口EUV设备，中国芯片技术将落后美国等西方国家10年至15年 [11] - ASML首席财务官表示中国确实有可能制造出EUV光源，但相信中国依然需要很多年才能造出一台先进EUV光刻设备 [10]