英国电子束光刻中心部署 - 英国南安普敦大学成功开设日本以外首个分辨率达5纳米以下的尖端电子束光刻(EBL)中心 这是全球第二个 欧洲首个此类中心 [1] - 该中心采用日本JEOL的200kV加速电压直写电子束光刻系统(JEOL JBX-8100 G3) 可在200毫米晶圆上实现低于5纳米级精细结构处理 光刻胶厚度达10微米且侧壁几乎垂直 [1] - 该设施将用于推动量子计算、硅光子学和下一代电子系统领域发展 与现有微加工设备配合可研发生产各类集成纳米级器件 [2] 电子束光刻技术特点 - 电子束曝光始于上世纪60年代 是在电子显微镜基础上发展的微电路制造技术 具有纳米级精度但耗时较长 [3] - 当前主要使用高斯束、变形束和多束电子束技术 其中高斯束灵活适用于科研 后两者服务于工业掩模制备 [4] - 电子束光刻可绘制低于10nm分辨率的定制图案 但产量低 主要用于光掩模制造、小批量半导体生产及研发 [4] 主要设备厂商格局 - Raith公司是德国纳米制造技术商 拥有五款EBL产品 客户涵盖大学和工业界 [5] - 英国NBL公司主要生产研发用电子束工具 年销售约10台 销售额2000万美元 [5] - 日本JEOL是全球顶级科学仪器制造商 在成熟工艺市场占有率高 其设备被英国采购 [6] - 日本NuFlare和奥地利IMS Nanofabrication占据高端市场 后者获英特尔注资 [6] - 美国ETEC和日本日立研发低能微阵列平行电子束系统 日立HL-800M广泛应用于0.25-0.18微米掩模制造 [7] ASML在电子束领域布局 - ASML收购了破产的Mapper Lithography公司 获得其电子束技术专利和240名员工 [10] - Mapper曾开发1326束光设备 但28nm制程下每小时仅产1片晶圆 效率过低被台积电放弃 [9] - ASML主要将Mapper技术用于半导体缺陷检测 而非芯片生产 [10]