AI芯片与CoWoS封装技术 - AI芯片需求激增推动高带宽存储(HBM)需求，其高效集成依赖CoWoS封装技术，该技术成为全球半导体竞争焦点[1] - CoWoS技术由台积电研发，核心价值在于极小空间内实现多功能芯片高效集成，如HBM与AI芯片结合必须依赖此技术[3] - 主流AI芯片均采用HBM配置，包括英伟达A100/H200(7nm/3nm+HBM2/HBM3e)、AMD MI300X(5nm+HBM3)、华为昇腾910(7nm+HBM2)等[5] CoWoS技术原理与市场格局 - CoWoS技术通过硅中介层实现芯片堆叠互连，布线密度低至10μm以下，台积电目前垄断全球先进AI芯片的CoWoS服务[7] - 先进封装市场未来几年复合增速达40%，其中3D封装增速超100%，近40% HBM将依赖混合键合封装[7] - 台积电计划将CoWoS产能从2024年每月3.6万片提升至2026年13万片，并拓展技术至支持12个HBM4堆栈[8] - 华为是台积电CoWoS首个客户，2014年海思Hi1616芯片首次应用该技术[8] 全球CoWoS产能供应商 - 台积电是唯一兼顾高工艺节点与高良率的全栈服务商，良率优势来自十余年技术积累[10][15] - 其他供应模式包括：台积电+第三方封装厂(如日月光)、第三方代工(联电/格芯)+OSAT(安靠/日月光)、三星/英特尔自有技术[11][12][13] - 国内以中芯国际生产中介层+OSAT完成封装为主，中芯国际已通过7nm工艺替代并独立运营先进封装业务[14][16] 国产类CoWoS技术发展 - 盛合晶微是国内2.5D芯粒量产唯一企业，2023年营收增速全球封测行业第一，获超50亿元融资加速三维集成项目[19] - 通富微电聚焦国内市场，曾计划承接AMD bumping工序但未达成合作，与盛合晶微均面临良率提升挑战[20][21] - 甬矽电子已量产2.5D封装技术，工艺与HBM封装存在重叠，具备市场延伸潜力但需评估商业合作模式[22][23]