SK海力士HBM4技术进展 - SK海力士向英伟达供应的HBM4 12-Hi堆叠价格较HBM3E高出约70% [1] - HBM4技术变革包括增加IO计数提升带宽、新设计改进功效、基线采用逻辑处理 [1] - 公司计划通过优化定价策略将成本增加转嫁至HBM4，同时维持盈利水平并刺激AI市场需求 [1] HBM技术瓶颈与创新方向 - 当前凸点键合技术限制垂直间距至40μm以上，制约内存容量和带宽提升 [1] - 混合键合技术可实现10μm及以下节距，具有更高互连密度、更低能效和更快通信速度，将成为下一代HBM键合方案 [1] - 韩国KAIST研究显示HBM4将采用直冷式液冷(D2C)技术直接冷却芯片 [1] 产业链相关公司动态 - 雅克科技前驱体产品已供货台积电、SK海力士、中芯国际等头部厂商 [2] - 太极实业为SK海力士及其关联公司提供半导体后工序服务 [3]