光刻机技术瓶颈 - 光刻机制造面临物理边界挑战 核心部件全球仅两人能维修 设备极度脆弱 轻微干扰即可导致数小时减产 [1] - 突破极限依赖三大技术要素：光源 数值孔径 工艺因子 英特尔投资3.5亿欧元抢先布局High-NA EUV技术 台积电持观望态度 [1] - 芯片制程命名存在夸大现象 所谓"3nm"芯片实际晶体管尺寸未低于20nm [1] 行业竞争格局 - ASML作为光刻机龙头 多次因低级操作失误引发股价波动 [1] - 国际局势不稳定因素加剧 可能对芯片供应链产生深远影响 [1] 技术演进驱动力 - GPU与AI技术发展正成为推动光刻机技术升级的关键因素 [1]