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天岳先进董事长宗艳民:奔赴碳化硅材料应用的星辰大海

公司发展历程 - 2010年进入碳化硅产业 当时中国碳化硅产业技术壁垒高筑且回报周期漫长[2] - 2017年前公司持续处于生存线挣扎状态 全部资金投入碳化硅研发[3] - 2018年国际形势变化使国内企业转向国产供应商 公司承接重大任务后站稳脚跟[3] - 2024年成为国内碳化硅衬底材料领域首家"A+H"上市企业[2] - 2025年8月与东芝电子元件达成技术合作协议[7] 技术突破与创新 - 全球率先推出12英寸碳化硅衬底 打破行业认为8英寸是"天花板"的认知[4][5] - 攻克晶体生长中"应力"量化表征世界性难题 显著提升晶体质量和缺陷控制能力[4] - 构建完整技术体系覆盖设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工、质量检测所有关键环节[5] - 在碳化硅领域积累超过500项专利 数量排名全球前五及全国第一[5] - 形成完整6/8/12英寸产品矩阵 包括12英寸高纯半绝缘型及导电P型/N型碳化硅衬底[6] 市场地位与产能 - 2024年全球导电型碳化硅衬底市场份额达22.80% 位居全球第二[5] - 年产能超过40万片碳化硅衬底 累计交付客户突破100万片[6] - 建立济南、济宁和上海三大生产基地[6] - 与全球前十大功率半导体器件制造商中过半企业建立稳固合作关系[6] - 与英飞凌、博世等龙头企业保持长期合作[6] 战略布局与合作 - 赴港上市拓宽融资渠道加速产能扩张 提升品牌国际影响力[6] - 2024年6月荣获"全球半导体材料金奖" 三十年来首次花落中国企业[6] - 2025年7月与舜宇奥来微纳光学达成战略合作 开拓微纳米光学领域应用[7] - 2025年7月18日宣布向日本市场批量供应SiC衬底材料[7] - 积极拓展AR眼镜光波导镜片、高性能滤波器等新兴应用领域[7] 产品优势与应用前景 - 宽禁带半导体材料具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势[3] - 碳化硅器件全生命周期可减少1.2吨二氧化碳排放[7] - 适用于电动汽车、光伏、AI眼镜、散热材料等高电压、高频率场景[3][7] - 产品能在更高温度下稳定运行[3] - 大尺寸衬底可显著降低生产成本[4]