道氏技术:公司最新一代硅碳负极直接将单壁包覆在硅碳颗粒表面,进一步实现性能提升
技术突破 - 公司最新一代硅碳负极直接将单壁碳纳米管包覆在硅碳颗粒表面 实现性能提升[1] - 单壁碳纳米管包覆层可有效约束硅基材料充放电过程中的体积膨胀 提升电池循环性能[1] - 已完成小样制备 正在加速研发与产业化进度[1] 成本优势 - 单壁碳纳米管包覆技术使硅碳颗粒与周围石墨颗粒形成稳定导电网络 无需额外添加单壁碳纳米管[1] - 技术降低硅碳应用成本 助力产品在动力等领域应用[1]
技术突破 - 公司最新一代硅碳负极直接将单壁碳纳米管包覆在硅碳颗粒表面 实现性能提升[1] - 单壁碳纳米管包覆层可有效约束硅基材料充放电过程中的体积膨胀 提升电池循环性能[1] - 已完成小样制备 正在加速研发与产业化进度[1] 成本优势 - 单壁碳纳米管包覆技术使硅碳颗粒与周围石墨颗粒形成稳定导电网络 无需额外添加单壁碳纳米管[1] - 技术降低硅碳应用成本 助力产品在动力等领域应用[1]