芯片狂潮向存储蔓延,大摩:NAND好于DRAM,存在显著上涨潜力
根据摩根士丹利的分析,半导体行业,尤其是内存领域,正处在一个关键的周期转折点。 从历史上看,费城半导体指数(SOX Index)的走势呈现出从"狂热"到"悲观"再回归的循环,而当前市场正处于"乐观阶段"。 AI引发的芯片狂热正从GPU等逻辑芯片,迅速蔓延至存储芯片领域。摩根士丹利认为,存储市场,特别是闪存(NAND), 正处于一个持久上升周期的"早期阶段"。 9月23日华尔街见闻提及,受AI数据中心推升的存储器强劲需求,三星本周大幅上调NAND产品价格,DRAM产品涨幅高达 30%,交期也从单月延长至半年以上。美光、闪迪等竞争对手同步跟进涨价措施。 据硬AI,摩根士丹利同日发布研报指出,AI驱动的芯片投资狂潮正从GPU向存储领域蔓延。研报强调当前市场正处于周期性 转向的关键节点,预计2026年将出现存储价格双底探底后的复苏周期。 摩根士丹利认为,与市场普遍关注的DRAM内存和机械硬盘相比,闪存市场因其供需格局的急剧扭转,展现出更显著的上涨 潜力。 因此研报强调投资者应重点关注纯闪存制造商如铠侠(KIOXIA)和闪迪(SanDisk),以及三星、SK海力士等综合性厂商 和相关的模组制造商。 AI叙事蔓延,内存接 ...