核心观点 - 人工智能持续爆发推动存储需求激增，导致DRAM和NAND闪存市场供应极度紧张，主要内存厂商计划在2025年第四季度将报价最高上调30% [1][2] - 此轮涨价被视为由AI与高性能计算长期增长驱动的结构性改变，行业已进入AI驱动的“超级周期” [2][7] 价格调整动态 - DRAM方面：三星电子计划在2025年第四季度调涨合约价，其中LPDDR4X/5/5X等移动DRAM涨幅最大，最高达30% [2] - NAND闪存方面：美光已通知客户将NAND报价上调20%至30%，并一度暂停接受新订单，反映出市场供应极度紧张；三星电子计划跟进提价 [1][2] - 美光公司的策略已转变为“大幅提价”，而非“停止接单”，显示出市场一致的看涨情绪 [2] 需求端驱动因素 - AI服务器是核心需求引擎，单台AI服务器所需的DRAM容量是传统服务器的数倍，高度依赖高带宽内存和大容量固态硬盘 [2] - 2025年全球科技巨头在AI基础设施的投入已突破4000亿美元，直接拉动了高带宽内存、DDR5和LPDDR5的需求 [2] 供给端制约因素 - 三大原厂将先进产能集中在高利润产品上，高带宽内存消耗的晶圆量是标准DRAM的三倍以上，导致用于个人电脑和手机的传统DDR4/LPDDR4产能被挤压，供需缺口比预期更大 [3] 主要厂商产能布局 - 三星电子聚焦1c纳米和高带宽内存4技术，其P3L工厂预计在2026年底月产能达到11.5万片；P4L工厂已于2025年第三季度完工；P5L新厂于2025年10月复工，计划2027年底量产 [6] - SK海力士的M15X工厂在2025年第四季度初投产，主要生产高带宽内存3E和高带宽内存4 [6] - 国产厂商方面，南亚科和华邦电成为DDR4市场的新选择；佰维存储的晶圆级先进封测项目正处在投产准备阶段，其惠州封测中心正在加速扩产 [7] 市场预期与价格预测 - TrendForce预测，2025年高带宽内存的平均单价将同比上涨20.8%，达到1.80美元/吉比特；即将上市的12层高带宽内存4单价可能达到500美元，比高带宽内存3e（约300美元）高出60%以上 [7] - 威刚董事长陈立白认为，当前的缺货只是起点，2026年供应还将吃紧 [7] 产业链影响 - 下游企业因担忧缺货，多家国际服务器和电子厂商正在与三星电子、SK海力士洽谈为期2至3年的长期供应协议，打破了以往的季度签约惯例 [7] - 终端用户方面，固态硬盘和内存条价格在2025年持续上涨，导致个人电脑升级成本显著增加 [7] - 国际大厂聚焦高带宽内存，为长江存储、长鑫存储等国产厂商在传统存储市场提供了切入窗口，加速了技术迭代和市场份额提升 [7]