行业技术壁垒 - 高端工业装备的复杂性已超越单纯零件复制，转向隐性知识与系统协同，逆向工程难以成功 [2] - 德国高精度机床设计有容差系统和装配张力等机制，拆解后会导致系统协同失效，性能从微米级滑落至毫米级 [3] - 即便替换核心机械结构，性能也可能下降5-10%，而材料科学的隐性配比（如微量稀有元素添加）难以通过逆向分析还原 [4] - 日本FANUC导轨的淬火工艺被简化后，成品寿命仅为原版的30-50% [4] - ASML浸没式DUV光刻机零部件数量达数万级，系统集成难度极高 [5] - 核心光学模块由蔡司独家提供，镜片加工精度达亚纳米级，系统级协同难以通过拆解重建 [7] 中国光刻机产业现状 - 美国主导的出口管制升级，ASML已停止向中国出口最先进DUV（NXT:2000i以上型号）及提供相关技术服务 [12] - 中国是ASML的最大客户，去年营收占比高达41%，高度依赖进口设备 [12] - 中芯国际今年第三季度7nm良率降至60%以下，部分原因为设备老化与维护滞后 [14] - 上海微电子具备90nm级KrF光刻机生产能力，正在攻关28nm级ArF机型，但光源仍依赖Cymer、Gigaphoton，物镜加工精度受制于蔡司 [14] - 国内光刻机产业链在光机台有进展，但光源和光学核心滞后，现有国产设备常因停机率高、良率不稳而难以大规模采用 [14] 国产替代路径与挑战 - 国产化进程应从成熟制程（90nm/65nm）的稳定性和替代做起，稳步推进 [17] - 需集中资源攻克被国际垄断的核心环节，如光源和光学系统 [17] - 在光源方面，科益虹源、中科院光电所已成功研制248nm和193nm准分子激光器 [18] - 在光学系统方面，国望光学、国科精密正在研发NA=0.82~1.35级投影物镜 [18] - 在光刻胶与掩膜版方面，南大光电、路维光电、晶瑞电材等实现了ArF正性光刻胶的突破，进入验证环节 [18] - 必须警惕“样机思维”，即过度聚焦制造出能动的原型机而忽略量产化、稳定性和生态集成 [20] - 最终实现自主可控需构建完整生态链，甚至探索纳米压印或电子束刻蚀等非光刻技术路径 [22]