行业资本支出趋势 - 存储器产业资本支出持续上涨，但投资重心从单纯扩产转向制程技术升级和高附加值产品如HBM，对2026年位元产出成长的助力有限 [1] - DRAM产业资本支出预计2025年达537亿美元，2026年进一步增长至613亿美元，年增率达14% [1] - NAND Flash产业资本支出预计2025年为211亿美元，2026年小幅增长至222亿美元，年增约5% [1] DRAM供应商资本支出与策略 - 美光科技2026年资本支出预计达135亿美元，年增23%，专注于1 gamma制程渗透和TSV设备建置 [2] - SK海力士2026年资本支出预计为205亿美元，年增17%，以应对M15x的HBM4产能扩张 [2] - 三星2026年资本支出预计投入200亿美元，年增11%，用于HBM的1C制程渗透及小幅增加P4L晶圆产能 [2] - 无尘室空间供应不足，仅三星与SK海力士有小幅扩大产线机会，美光需等待美国ID1新厂2027年落成，因此2026年资本支出对位元产出贡献有限 [2] NAND Flash供应商资本支出与策略 - 铠侠/闪迪因无DRAM业务，最积极扩大产能，预计投入45亿美元，年增41%，加速BiCS8生产并投资BiCS9研发 [3] - 美光2026年目标微幅增加NAND Flash产能并专注于G9制程和企业级SSD业务，资本支出年增幅达63% [3] - 三星和SK海力士/思得将缩减或限制NAND Flash资本支出，优先投资转向HBM和DRAM领域 [3] - NAND Flash需求爆发主要由AI对储存容量需求急速攀升及HDD供应不足导致云端服务供应商转单所带动，属于结构性短缺 [3] NAND Flash市场供需展望 - 过去数年景气循环使部分厂商资本支出与扩产策略趋于保守 [4] - 2026年资本支出重心放在制程升级和导入混合键合而非扩产，将导致供应位元增幅有限 [4] - NAND Flash市场的供不应求状态预计将延续2026年全年 [4]