项目投资概况 - 控股子公司金瑞泓微电子计划投资22.62亿元建设年产180万片12英寸重掺衬底片项目 [2] - 项目选址于现有厂房内，利用约19000平方米面积进行改造，将购置单晶炉、抛光机等设备 [2] - 固定资产投资为21.96亿元，建设周期约60个月，采取分阶段建设模式，预计每年投入约3.5亿元 [2] - 项目计划于2025年12月31日前完成开工准备，预计投资收益率为7.76% [2] 资金来源与财务影响 - 项目资金全部源于公司及子公司的自有资金与自筹资金，不涉及募集资金 [2] - 每年3.5亿元的投入规模不会对现有业务造成资金压力，也不会影响正常生产经营 [2] - 由于建设周期较长，项目预计对2025年度经营业绩不会产生重大影响 [3] 市场背景与战略意义 - 扩产源于现有重掺系列硅片产能已接近满产，以及新能源汽车、AI服务器、储能等新兴产业对高端功率器件的迫切需求 [3] - 项目产品12英寸重掺衬底片是制备高端厚层、埋层等特殊规格硅外延片的核心材料，终端应用于AI服务器电源、储能变流器、充电桩、工业及汽车电子等领域 [3] - 项目实施将显著提升公司重掺系列硅片生产能力，有助于巩固市场头部地位 [3] 技术与产业链协同 - 项目将采用公司自主开发的重掺杂直拉硅单晶制备、微量掺锗直拉硅单晶等关键技术 [3] - 项目可与现有"年产180万片12英寸半导体硅外延片项目"形成上下游配套，构建从衬底片到外延片的一体化生产能力 [3] - 此举将优化产品结构、提升产品丰富度，并提高我国半导体硅片的自主化水平，匹配国内晶圆厂发展需求 [3]