同时，据华尔街见闻此前文章，SK海力士近期与英伟达完成HBM4供应谈判，成功将价格提升逾50%至 每颗500美元以上。据媒体报道，该公司已提前售罄明年产能，在HBM和通用DRAM市场均占据有利定 价地位。 业内人士预计，SK海力士明年设施投资额将轻松突破30万亿韩元，较今年预计的25万亿韩元大幅增 长。市场预测该公司明年营业利润有望超过70万亿韩元，创下历史新高。 尖端制程产能实现跨越式扩张 SK海力士正在大举扩张先进内存芯片产能，押注人工智能应用从训练转向推理带来的市场机遇。 11月20日，据韩国媒体报道，韩国内存芯片巨头——SK海力士计划明年将第六代10纳米DRAM（1c DRAM）月产能从目前约2万片300mm晶圆提升至16万至19万片，增幅达8至9倍，占其DRAM总产能的 三分之一以上。 报道称，据半导体行业消息人士透露，扩产后的1c DRAM将主要用于生产GDDR7和SOCAMM2等产 品，以满足英伟达等大型科技公司的订单需求。这一战略调整反映出AI推理应用对成本效益更高的通 用DRAM需求激增，该公司正将战略重心从高带宽内存（HBM）扩展至更广泛的AI内存市场。 SK海力士的产能提升计划集中在最先 ...