项目投资概况 - 公司控股子公司金瑞泓微电子拟投资22.62亿元建设年产180万片12英寸重掺衬底片项目 其中固定资产投资为21.96亿元 [1] - 项目建设周期约60个月 采用分阶段建设、投入和产出的模式进行 预计每年投入金额约3.5亿元 [4] - 项目预计投资收益率为7.76% 资金投入进度将根据公司资金状况和市场供需进行动态调节 [4] 技术与产能分析 - 项目将采用公司自主开发的重掺杂直拉硅单晶制备技术、微量掺锗直拉硅单晶技术和低缺陷掺氮直拉硅单晶技术等核心生产工艺 [4] - 项目实施后将新增年产180万片12英寸重掺衬底片的产能规模 可显著提高公司重掺系列硅片生产能力 [6] - 公司现有重掺系列硅片产能爬坡迅速 目前已接近满产状态 [4] 市场定位与战略意义 - 项目产品可满足高端功率器件需求 终端应用于AI服务器不间断电源、储能变流器、充电桩、工业电子、汽车电子等多个领域 [4] - 项目有利于开发和制备高端功率器件市场急需的重掺砷、重掺磷等系列的厚层、埋层等特殊规格硅外延片产品 [6] - 项目系在公司现有厂房内实施的扩产 可与现有"年产180万片12英寸半导体硅外延片项目"形成上下游配套 优化产品结构并巩固市场头部地位 [4][6]