美光FY26Q1业绩表现 - 单季营收136.4亿美元，远超122-128亿美元指引区间，同比大增57%，环比上涨21%，增速刷新近五年新高 [1][3] - 调整后EPS为4.78美元，大幅超越市场预期的3.95美元 [1][3] - 非GAAP毛利率飙升至56.8%，同比暴涨17.3个百分点，环比提升11.1个百分点，远超50.5%-52.5%的指引 [6] - 运营现金流达84.1亿美元，远超59.4亿美元预期，调整后自由现金流39.1亿美元创历史纪录，自由现金流利润率接近30% [6] 业务结构分析 - DRAM业务营收108亿美元，占总营收79%，环比增长20%，比特出货量环比小幅增长，但ASP环比暴涨约20% [7] - NAND业务营收27亿美元，占总营收20%，环比增长22%，呈现“量价齐升”态势，比特出货量环比增长中高个位数，ASP同样实现中高个位数增长 [7] - HBM业务表现火爆，2026年产能已全部售罄，且已提前与客户敲定数量和价格 [7] - HBM4预计于CY26Q2以高良率量产，良率提升速度预计快于HBM3E [7] 行业需求驱动因素 - 本轮存储行业复苏由AI驱动，与前两轮依赖个人消费端不同，以企业级AI资本开支为核心，开启全新产业周期 [9] - AI数据中心对存储的需求是“吞噬式”的，不仅推动高端产品价格暴涨，还带动全品类同步上涨 [10] - HBM价格年内暴涨500%，DDR4价格涨幅超50%，从消费级NVMe SSD、DDR4内存条到企业级存储系统与大容量HDD均在涨价 [10] - 需求来源多元化，包括云端数据中心扩建AI服务器、企业端部署私有AI模型以及汽车电子领域 [10] 行业供给状况 - 预计CY26行业DRAM和NAND位出货量增长均受供应限制，同比增长约20%，远低于需求增速 [11] - 供不应求的紧张态势将持续到2026年及以后 [11] - 存储晶圆厂生产不同产品的调整周期约为5个月以上，无法快速响应市场需求变化，加剧供需失衡 [12] - 公司在产能分配上优先支持数据中心等战略客户和长期协议，同时维持对汽车、工业等关键任务应用客户的最低供应阈值 [12] 公司未来展望与指引 - 公司将FY26资本开支从180亿美元上调至200亿美元，FY27还将继续增加 [1] - 给出FY26Q2乐观指引：调整后营收183-191亿美元，中值约187亿美元，远超市场预期的143.8亿美元，调整后EPS指引为8.42±0.2美元，大幅超越预期的4.71美元，非GAAP毛利率指引为68%±1% [15] - 预测显示2025年HBM市场空间约350亿美元，2028年将飙升至1000亿美元，复合增长率约40% [7] - 据CFM闪存市场预测，2025年全球存储市场规模有望达到1932亿美元，创历史最高记录 [14] 未来增长关键点 - 关注FY26Q2业绩能否延续超预期，以印证AI存储需求的强劲韧性 [14][15] - 关注产能释放与技术爬坡进度，包括DRAM的1-gamma节点、NAND的232层节点量产及良率提升，以及HBM4的进展 [16][17] - 关注长期供需平衡与价格走势，2027年后行业供给将逐步增加，价格走势将取决于AI需求的持久力 [18]