三星发布全球首颗2nm芯片 - 三星于2025年底发布全球首颗2nm芯片，即其猎户座手机SoC Exynos 2600 [1] - 该芯片采用三星第二代GAAFET 2nm技术制造，采用10核CPU设计 [1] - 据三星称，该芯片性能提升39%，并因采用HPB技术使温效降低16% [1] 芯片工艺竞争格局 - 三星2nm芯片的发布标志着全球芯片制造工艺正式进入2nm时代 [3] - 联发科天玑9500采用台积电N3P工艺，高通骁龙8 Elite采用台积电N3P工艺，而三星Exynos 2600采用三星N2工艺 [4] - 表格对比显示，三款旗舰SoC在CPU核心配置、缓存及GPU上存在差异，三星Exynos 2600的部分缓存参数尚未明确 [4] 国内外芯片制造工艺差距 - 国内芯片制造工艺目前处于等效7nm水平 [5] - 当国际领先工艺为3nm时，国内外差距为两代（5nm、3nm） [5] - 随着三星达到2nm且台积电即将达到2nm，国内外差距扩大至三代（5nm、3nm、2nm） [5] 先进制程制造的技术瓶颈 - 制造7nm以下芯片非常困难，主要瓶颈在于缺乏EUV光刻机 [8] - 理论上，浸润式DUV光刻机可通过多重曝光制造5nm甚至3nm芯片，但尚无厂商实际成功制造5nm芯片，且良率将大打折扣 [8] - 良率问题将直接影响芯片的成本和制造效率 [8] 获取先进光刻机的途径与挑战 - 获取EUV光刻机是突破先进制程的关键，但购买途径受阻 [10] - ASML仅向中国销售技术落后10年以上的光刻机，不提供最先进的浸润式DUV，更不提供EUV光刻机 [10] - 自主制造EUV光刻机面临重大挑战，包括EUV光源、物镜系统等核心供应链均被ASML绑定 [10] - 尽管如此，自主制造EUV光刻机被视为缩小与国际顶尖芯片制造技术差距的必由之路 [10]