市场表现 - 2026年首个交易日 AI芯片供应链股票强势上涨 在美股大盘分化背景下成为市场焦点 [1] - 台积电美股和台股双双创下历史新高 三星电子韩股大涨7.2%刷新收盘纪录 带动整个AI板块逆市走强 [1] - 韩国首尔综合指数收涨2.3% 历史上首次突破4300点大关 主要受三星电子HBM4业务获客户认可的消息提振 [3] - 纳斯达克指数当日小幅收跌 标普500指数微涨 凸显AI相关股票的独立行情 [3] - 多只AI相关股票录得涨幅 包括Sandisk、Micron、Western Digital、Intel和Constellation Energy 英伟达、Broadcom等万亿美元市值科技公司也出现上涨 [6] 台积电技术进展与订单 - 台积电2nm制程技术已按计划于2025年第四季度投入量产 标志着全球半导体行业正式迈入2nm时代 [9] - N2技术相比N3E工艺 在同等功耗下性能提升10%-15% 在同等速度下功耗降低25%-30% [9] - N2采用环栅纳米片晶体管技术 相对于纯逻辑电路设计 N2P工艺的晶体管密度比N3E提升约20% [10] - 台积电CEO表示N2进展顺利且良率良好 预计2026年在智能手机和高性能计算、AI应用推动下实现更快产能爬坡 [10] - 公司计划在高雄晶圆二十二厂和新竹晶圆二十厂同步扩产 采取“双线作战”策略 同时服务手机芯片和AI服务器芯片两条产品线 [10] - 公司计划于2026年下半年量产N2P和A16工艺 其中A16采用背面供电技术 主要针对AI和高性能计算处理器 [10] - 1.4nm制程工厂的地基工程已于2025年11月动工 风险性试产预计2027年启动 量产目标定于2028年 [10] - 据路透报道 英伟达正向台积电追加H200芯片订单 预计工作将于2026年第二季度启动 [10] 三星电子HBM进展 - 三星电子股价大涨7.2% 主要受公司HBM4业务获得客户积极评价的消息提振 [11] - 三星电子联席CEO透露 HBM4产品已展示出“差异化的竞争力” 并赢得客户“三星回来了”的高度评价 [11] - 市场预期三星正逐步缩小此前在高带宽内存市场与SK海力士的差距 并有望在2026年凭借下一代HBM产品重新进入英伟达的核心供应链 [11] 行业需求与价格预期 - 市场对AI基础设施投资的持续乐观情绪推动了这波涨势 [8] - 摩根士丹利指出 2026年存储器供应正在收紧而非放松 并将DRAM和NAND价格预期分别上调62%和75% [8] - 受H200芯片需求激增影响 摩根士丹利不再预期HBM3E平均价格下降 [17] - 韩国12月半导体出口同比激增43% 印证了三星、SK海力士在全球AI硬件繁荣中的重要性 [13] 机构观点与公司预期 - Bernstein将台积电列为首选股 认为其在质量、风险和估值方面具有优势 是AI芯片的实际生产商和AI增长的主要受益者之一 [14] - Bernstein预计AI和台积电在先进技术方面的领导地位将推动公司2026年营收增长23% 2027年增长20% [15] - Bernstein预计更温和的汇率环境和更好的成本控制将减轻海外生产的成本负担 预计台积电每股收益在同期将以20%的复合年增长率增长 [15] - 摩根士丹利大幅上调美光盈利预期 将2026年和2027年每股收益预期分别上调56%和63% [17] - 德意志银行全球宏观研究主管表示 持续的全球增长、AI潜力的乐观情绪以及央行降息 将继续推动金融资产表现 [8]